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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓功率半導體器件，常用于電力電子設備中。半電流和全電流是指IGBT的兩種不同工作方式。
半電流模式下，IGBT只允許電流在一個方向上流動，即只有正向電流通過。這種模式適用于需要控制電流方向的應用，例如電機驅動器。在半電流模式下，IGBT的電流承受能力較高，但其導通壓降較大。
全電流模式下，IGBT允許電流在兩個方向上流動，即正向電流和反向電流都可以通過。這種模式適用于需要雙向電流控制的應用，例如逆變器。在全電流模式下，IGBT的電流承受能力較低，但其導通壓降較小。
因此，半電流和全電流是指IGBT的兩種不同工作方式，根據應用需求選擇合適的工作模式。
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