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7月3日18點，商務部和海關總署宣布實施對鎵和鍺相關物品的出口管制措施。此舉是針對美國和荷蘭最近對中國芯片發展制裁的回應。
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鎵相關物品包括氮化鎵、砷化鎵和銦鎵砷化物，而鍺相關物品包括磷酸銦鍺、鍺外延生長基板和二氧化鍺等。這些都是半導體行業中重要的材料，特別是在第三代半導體中，氮化鎵是關鍵材料。
第三代半導體是中國由于鎵和鍺儲量豐富而具有天然優勢的領域。與第一代和第二代半導體不同，第三代半導體不需要先進的光刻機器，因此不存在受出口管制限制的問題。
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在提高電子設備在高壓、高頻和高功率應用方面的工作特性方面具有巨大潛力，如軍事、新能源和電動汽車。目前，GaN主要用于功率器件，而SiC主要用于高溫、高頻率和高效率大功率器件。
沒有第三代半導體，軍用雷達、移動基站、智能電網、高速鐵路和電動汽車的發展將受到嚴重影響。2020年，中國生產了290噸鎵，占全球產量的96%。在儲量方面，中國的鎵儲量占全球總量的68%以上。因此，如果不使用中國的半導體材料，就無法發展新能源等。
重拳已出，就看荷蘭以及背后美日如何應對。如果他們膽敢繼續升級半導體領域的不當競爭，而美國作為始作俑者也將受到嚴重影響。
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隨著數據中心不斷為網絡搜索、視頻通話和信息存儲等服務提供支持，處理能力和電力需求也隨之增長。在這種情況下，德州儀器和臺達電子的合作通過應用氮化鎵（GaN）技術取得了突破性進展，為數據中心的功率密度和效率提供了顯著提升。氮化鎵是一種寬帶隙半導體材料，特別適用于高性能電源開關。相比傳統技術，氮化鎵的開關功耗更低、開關速度更快，有助于實現更高的功率密度和效率。臺達電子定制設計業務部研發經理 Kai Dong 表示：“氮化鎵的應用融合了臺達電子在高效電力電子裝置領域的核心專業知識，以更大限度地提高功率密度，同時不...【詳情+】
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