2023年11月30日，基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件。這標志著Nexperia SiC MOSFET產品組合的首次發布，為電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業應用提供了高性能SiC MOSFET解決方案。

Nexperia高級總監兼SiC產品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機希望這兩款首發產品可以激發更多的創新，推動市場涌現更多寬禁帶器件供應商。Nexperia現可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個參數性能均超越同類產品，例如高RDS(on)、良好的溫度穩定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產高質量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發展。”

三菱電機半導體與器件部功率器件業務高級總經理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業知識，我們的器件實現了多方面特性的出色平衡。”

Nexperia的SiC MOSFET采用了創新型工藝技術，實現了業界領先的溫度穩定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。此外，SiC MOSFET的柵極總電荷(QG)非常低，由此可實現更低的柵極驅動損耗。Nexperia通過平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。

除了正溫度系數外，Nexperia的SiC MOSFET的器件間閾值電壓VGS(th)也超低，這使得器件并聯工作時，在靜態和動態條件下都能實現非常均衡的載流性能。較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續流操作的死區時間要求。

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Nexperia將持續擴大SiC MOSFET產品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。對于對高性能SiC MOSFET需求的客戶，Nexperia提供了廣泛的解決方案，包括適用于電動汽車、工業應用和能源系統的SiC MOSFET產品。這些產品將為客戶提供更高的功率密度、更高的效率和更可靠的性能，從而推動電動汽車和工業應用的創新發展。

Nexperia的SiC MOSFET產品具有出色的溫度穩定性、低柵極驅動損耗、抗寄生導通能力和低體二極管正向電壓等特點，為客戶提供了高性能的解決方案。隨著SiC技術的不斷成熟和應用領域的不斷擴大，Nexperia將繼續推出更多創新的SiC MOSFET產品，滿足客戶不斷增長的需求，推動電動汽車和工業應用領域的發展。如需數據手冊、樣片測試、詢價、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。