2023年12月11日，基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出新款GaN FET器件，采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。

Nexperia在提供大規模、高質量的銅夾片SMD封裝方面擁有豐富的專業知識，經過二十多年的耕耘，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。

GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCPAK1212i頂部散熱封裝技術，開創了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相結合的新時代。這項技術為太陽能和家用熱泵等可再生能源應用帶來諸多優勢，進一步加強了Nexperia為可持續應用開發前沿器件技術的承諾。同時，該技術還適用于廣泛的工業應用，如伺服驅動器、開關模式電源(SMPS)、服務器和電信應用。

Nexperia的創新型CCPAK封裝采用了Nexperia成熟的銅夾片封裝技術，無需內部焊線，從而可以減少寄生損耗，優化電氣和熱性能，并提高了器件的可靠性。為了更大限度地提升設計靈活性，CCPAK GaN FET提供頂部或底部散熱配置，進一步改善散熱性能。

GAN039-650NTB的級聯配置使其能夠提供出色的開關和導通性能，其穩健可靠的柵極結構可提供較高的噪聲容限，從而有益于簡化應用設計，無需復雜的柵極驅動器和控制電路，只需使用標準硅MOSFET驅動器即可輕松驅動這些器件。Nexperia的GaN技術提高了開關穩定性，并有助于將裸片尺寸縮小約24%。此外，器件的RDS(on)在25℃時僅為33 mΩ（典型值），同時其具有較高的門極閾值電壓和較低的等效體二極管導通壓降。

Nexperia副總裁兼GaN FET業務部總經理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻認識到，工業和可再生能源設備的設計人員需要一種高度穩健的開關解決方案，以便在進行功率轉換時實現出色的熱效率。因此Nexperia決定將其級聯GaN FET的優異開關性能與其CCPAK封裝技術相結合，為設計人員提供更多選擇。我們的新款GaN FET器件不僅在性能上具有優勢，而且在封裝方面也進行了創新，為工程師們提供更大的設計靈活性和便利性?！?/span>

Nexperia的新款GaN FET器件GAN039-650NTB已經投入量產，并很快將推出底部散熱型版本GAN039-650NBB，其RDS(on)與前者相同。對于工業和可再生能源應用的設計人員來說，Nexperia的新款GaN FET器件將成為他們實現高效、可靠和節能的電源轉換解決方案的理想選擇。通過結合先進的GaN技術和創新的CCPAK封裝，Nexperia為客戶提供了更多靈活的選項，助力他們在不斷發展的市場中取得成功。如需數據手冊、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。