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問：IGBT 飽和壓降的測量方法有哪些？
電子元器件供應商-中芯巨能答：
1. 電壓比較法：通過比較IGBT 的飽和狀態和非飽和狀態下的電壓差異來測量飽和壓降。
2. 電流比較法：通過比較IGBT 的飽和狀態和非飽和狀態下的電流差異來測量飽和壓降。
3. 脈沖測試法：通過施加不同頻率和幅值的脈沖信號來測量IGBT 的飽和壓降。
4. 熱敏電阻法：利用熱敏電阻檢測IGBT 工作時的溫度變化，從而推斷飽和壓降。
5. 脈寬調制法：通過改變PWM 脈沖寬度來測量IGBT 的飽和壓降。
以上這些方法可以單獨或結合使用來準確測量IGBT 的飽和壓降。如需采購IGBT管、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。我司提供技術支持和開發方案。
近日，華潤微電子功率器件事業群（PDBG）憑借其12吋功率器件晶圓產線的先進工藝能力，快速開發并成功推出了第七代高性能IGBT系列產品。該系列產品覆蓋650V、750V和1200V電壓平臺，廣泛適用于光伏逆變器、儲能系統、UPS、SVG等應用領域，為工業應用提供了高效的提頻增效解決方案。技術創新...【詳情+】
=在功率器件技術日新月異的今天，如何進一步降低損耗、增強產品可靠性以及拓展應用場景，成為了行業內眾多企業競相追求的目標。近日，龍騰半導體推出了一款全新的1200V 50A Field Stop Trench IGBT（型號：LKB50N120MF1M），為工業逆變、不間斷電源（UPS）、新能源等關鍵領域帶來了高效能解決方...【詳情+】
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