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在各種功率器件中，MOS管可能會面臨多種故障，包括過電壓、過電流、過熱等。電子元器件現貨供應商-中芯巨能將深入介紹導致MOS管故障的原因，并提出相應的防護措施。
1.過電壓
MOS管對過壓的容忍度很小，稍微超出額定電壓即可導致設備損壞。為防止過電壓，應保守地考慮額定電壓，注意抑制電壓尖峰或振鈴。
2.長時間電流過載
長時間高電流會在MOS管中產生大量熱耗散，導致過熱損壞。確保散熱良好，可以通過直接并聯多個MOS管共享高負載電流。
3.瞬態電流過載
短暫而大的電流過載可能逐漸損壞MOS管，但在故障發生前，MOS管的溫度可能不會顯著升高。此類情況可通過增加死區時間減少擊穿機會。
4.擊穿(交叉傳導)
兩個相對MOS管的控制信號重疊可能導致兩者同時導通，引起電源短路。設置死區時間可最大限度減少擊穿機會。
5.沒有續流電流路徑
在電感負載切換電流時，確保提供續流路徑，通常通過并聯反向續流二極管實現。
6.MOS管體二極管的緩慢反向恢復
高Q諧振電路可能導致MOS管體二極管在開關時產生問題。通過添加二極管緩解，如與源極串聯的肖特基二極管和并聯的快速恢復二極管。
7.過度的柵極驅動
高于額定電壓的柵極驅動可能損壞柵極絕緣層，確保柵極信號不超過最大允許電壓。
8.柵極驅動不足(不完全開啟)
確保MOS管硬開啟，以減少傳導期間的功耗。
9.緩慢的開關轉換
盡可能快速地在狀態之間切換，以減少切換期間的功耗。
10.雜散振蕩
最小化MOS管周圍的雜散電感和電容，使用低阻抗柵極驅動電路防止信號耦合。
11."米勒"效應
使用低阻抗柵極驅動器最小化米勒效應，確保柵極電壓鉗位到安全水平。
12.對控制器的輻射干擾
確保控制器放置在屏蔽外殼中，分離電源和控制電路。
13.對控制器的傳導干擾
通過去耦和中性點接地減少傳導干擾，使用變壓器耦合在防止電噪聲傳導回控制器方面非常有效。
14.靜電損壞
安裝MOS管時采取防靜電處理，防止柵氧化層損壞。
15.高駐波比
在脈沖系統中，考慮VSWR，確保傳輸線和負載匹配，減少反射和阻抗不連續性引起的問題。
通過理解這些故障原因，工程師可以采取相應的防護措施，提高MOS管的穩定性和可靠性。如需采購MOS管、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
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