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隨著電動汽車、儲能系統(tǒng)和光伏等領域的不斷發(fā)展，英飛凌（Infineon）再次推陳出新，推出一批創(chuàng)新型的CoolSiC? MOSFET模塊，共包含12個不同型號的EasyPACK?和EasyDUAL? 1B以及2B。這些模塊采用了CoolSiC? MOSFET增強型1代技術，廣泛適用于電動汽車充電、UPS（不間斷電源）、光伏以及儲能等多個領域。
新一代產品的亮點
這次上市的模塊集成了PressFIT壓接技術，并配備了NTC溫度檢測功能，提供了兩種版本的Al2O3和AlN DCB。其中，帶有"P"標記的型號還搭載了預涂的TIM（熱導材料），進一步提升了散熱性能。
產品型號一覽
以下是其中一些突出的產品型號：
- F4-8MR12W2M1H_B70：8毫歐 H橋 AlN DCB
- F4-11MR12W2M1HP_B76：11毫歐 H橋 TIM
- FF11MR12W2M1HP_B11：11毫歐 半橋 TIM
- FS13MR12W2M1H_C55：13毫歐 三相橋 AIN DCB
產品特點及應用價值
這些CoolSiC? MOSFET模塊的特點包括：
- 1200V CoolSiC? MOSFET
- Easy1B，Easy2B封裝
- 非常低的模塊寄生電感
- RBSOA反向工作安全區(qū)寬
- 柵極驅動電壓窗口大
- PressFIT引腳
這些特點為模塊提供了更高的可靠性和穩(wěn)定性。同時，產品的應用價值體現在其擴展的柵源電壓最大值、在過載條件下可達的最高溫度（Tvjop最高可達175°C），以及優(yōu)越的性價比，有望降低系統(tǒng)成本。此外，這些模塊還支持高開關頻率，從而改善對冷卻系統(tǒng)的要求。
競爭優(yōu)勢與廣泛應用
這一系列CoolSiC? MOSFET模塊為市場提供了完整的半橋SiC模塊產品組合，其中包括標準Al2O3 DCB和低熱阻高性能AIN DCB。這使得英飛凌在不同應用場景中都能提供最優(yōu)解決方案，包括電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、光伏和UPS等領域。
這一系列模塊的推出，標志著英飛凌在推動電力解決方案創(chuàng)新方面邁出了堅實的一步。其卓越的性能和多功能特點將為未來電動交通和能源存儲領域的發(fā)展注入更多動力。如需采購芯片、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
近日，英飛凌宣布推出采用D2PAK-7（TO-263-7）封裝的第二代CoolSiC? 650V G2碳化硅（SiC）MOSFET產品線，涵蓋從7mΩ到75mΩ共10款型號，進一步豐富其在中功率應用中的器件選擇。該系列產品基于第一代CoolSiC技術優(yōu)化升級，在性能與可靠性方面實現多項突破。憑借優(yōu)異的品質因數（FOMs）、業(yè)界領先...【詳情+】
近日，英飛凌推出全新基于CoolSiC? 400V SiC MOSFET的3L-ANPC拓撲虛擬評估板（EVAL_10KW_3LANPC_SIC），為工程師和研究人員提供了一套完整的三電平逆變器系統(tǒng)設計參考。該方案采用先進的碳化硅功率器件與優(yōu)化的PCB布局，面向工業(yè)電機驅動、光伏組串逆變器等高效率、高功率密度應用場景...【詳情+】
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