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意法半導體(ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器以其穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合而聞名。這些驅動器集成了高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器,非常適用于各種應用。在安全控制方面,STGAP系列隔離柵極驅動器作為首選解決方案,通過提供電氣隔離確保輸入部分和被驅動的MOSFET或IGBT之間的無縫集成和優質性能。
選擇正確的柵極驅動器對于實現最佳功率轉換效率至關重要,特別是隨著SiC技術的廣泛應用。ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅動器在這一領域扮演著不可或缺的角色。STGAP2SICS系列專為SiC MOSFET的安全控制進行了優化,可在高達1200V的高壓下運行,成為節能型電源系統、驅動器和控制裝置的理想選擇。從工業電動汽車充電系統到太陽能、感應加熱和汽車OBC DC-DC,STGAP2SICS系列都能簡化設計、節省空間并增強穩健性和可靠性。
STGAP2SICSA是符合汽車AEC-Q100標準的單通道柵極驅動器,專為控制SiC MOSFET而設計。它采用了窄體SO-8封裝(型號:STGAP2SICSAN)和寬體SO-8W封裝(型號:STGAP2SICSA),通過精確的PWM控制提供強大性能。
STGAP2SICSA在柵極驅動通道和低壓控制之間實現了電氣隔離,可在高達1700V(SO-8)和1200V(SO-8W)的電壓下工作。其小于45ns的輸入到輸出傳播時間確保高PWM精度,并通過±100V/ns的共模瞬態抗擾度(CMTI)實現可靠的開關。內置的保護功能包括欠壓鎖定(UVLO),防止SiC電源開關在低效率或不安全條件下運行,以及熱關斷,如果檢測到結溫過高,則將兩個驅動器輸出調低。
STGAP2SICSA具有帶米勒鉗位功能的單輸出配置,增強了高頻硬開關應用的穩定性,利用米勒鉗位來防止電源開關振蕩。
STGAP2SICSA的邏輯輸入低至3.3V,并與TTL和CMOS邏輯兼容,簡化了與主機微控制器或DSP的連接。該驅動器可在高達26V的柵極驅動電壓下的推拉電流高達4A。具有獨立輸入引腳的關斷模式有助于最大限度地降低系統功耗。如需數據手冊、樣片測試、采購、BOM配單等需求,請加客服微信:13310830171。
最近,ST宣布與致瞻科技(ZINSIGHT)建立合作伙伴關系。ZINSIGHT是全球唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺上成熟量產基于碳化硅方案的電動壓縮機控制器企業。ST的第三代SiC MOSFET和隔離柵極驅動技術成功應用于ZINSIGHT的電動壓縮機解決方案,推動了新能源汽車電動壓縮機控制技術的革新。