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2024年3月4日，全球內存與存儲解決方案領先供應商Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。英偉達H200 Tensor Core GPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內存，并于2024年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續保持行業領先地位，并且憑借HBM3E的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。
隨著人工智能需求的持續激增，內存解決方案對于滿足工作負載需求的增加至關重要。美光HBM3E解決方案通過以下優勢直面這一挑戰：
-卓越的性能：美光HBM3E引腳速率超過9.2Gb/s，提供超過1.2TB/s的內存帶寬，助力人工智能加速器、超級計算機和數據中心實現超高速的數據訪問。
-出色的能效：美光HBM3E功耗比競品低約30%，處于行業領先地位。為支持日益增長的人工智能需求和用例，HBM3E以更低功耗提供更大吞吐量，從而改善數據中心的主要運營支出指標。
-無縫的可擴展性：美光HBM3E目前提供24GB容量，使數據中心能夠無縫擴展其人工智能應用。無論是用于訓練海量神經網絡還是加速推理任務，美光的解決方案都提供了必要的內存帶寬。
Micron美光執行副總裁暨首席商務官Sumit Sadana表示：“美光憑借HBM3E這一里程碑式產品取得了三大成就：領先業界的上市時間、引領行業的性能和出眾的能效表現。人工智能工作負載在很大程度上依賴于內存帶寬和容量。美光擁有業界領先的HBM3E和HBM4產品路線圖，以及為AI應用打造的DRAM和NAND全套解決方案，為助力人工智能未來的大幅增長做足了準備。”
美光利用其1β（1-beta）技術、先進的硅通孔（TSV）和其他實現差異化封裝解決方案的創新技術開發出業界領先的HBM3E設計。美光作為2.5D/3D堆疊和先進封裝技術領域長久以來的存儲領導廠商，有幸成為臺積電3Dfabric聯盟的合作伙伴成員，共同構建半導體和系統創新的未來。
美光將于2024年3月出樣12層堆疊的36GB容量HBM3E，提供超過1.2TB/s的性能和領先于競品的卓越能效，從而進一步強化領先地位。美光將贊助3月18日開幕的英偉達GTC全球人工智能大會，屆時將分享更多前沿AI內存產品系列和路線圖。
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