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人工智能的迅猛發展推動了全球數據生成量的激增，同時也加大了對能源的需求。為了滿足這一增長需求，英飛凌科技股份公司最近推出了TDM2254xD系列雙相功率模塊，為AI數據中心提供更出色的功率密度、質量和總體成本效益。這一系列產品結合了OptiMOSTM MOSFET技術創新、新型封裝和專有磁性結構，通過穩健的機械設計提供業界領先的電氣和熱性能。這些模塊不僅能夠提高數據中心的運行效率，同時也能夠顯著降低總體擁有成本，滿足AI GPU平臺的高功率需求。
鑒于AI服務器的能耗比傳統服務器高出3倍，數據中心的能耗已經超過全球能源供應量的2%，因此創新的功率解決方案和架構設計至關重要，以進一步推動低碳化。英飛凌的TDM2254xD雙相功率模塊結合XDPTM控制器技術，為高性能計算平臺提供優秀的電氣、散熱和機械運行性能，實現高效的電壓調節，為綠色AI工廠打下基礎。
英飛凌在美國國際電力電子應用展覽會(APEC)上正式推出TDM2254xD系列。這一系列模塊設計獨到，通過優化的新型電感器設計，實現了從功率級到散熱器的高效熱量傳遞，使得模塊在滿載時的效率比行業平均水平高出2%。提高GPU核心的能效可以實現規模化的顯著節能效果，為計算生成式AI的數據中心節省數兆瓦的電力，減少二氧化碳排放量，并在整個系統生命周期內節省數百萬美元的運營成本。
英飛凌科技電源與傳感系統事業部高級副總裁Athar Zaidi表示：“英飛凌通過將半導體產品與系統解決方案相結合，利用前沿制造技術，為客戶提供具有差異化性能和質量的解決方案，大幅降低客戶的總體擁有成本。我們很高興推出這一解決方案，它將優化計算性能，進一步助力我們實現數字化和低碳化的使命。”如需采購英飛凌芯片、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
近日，英飛凌宣布推出采用D2PAK-7（TO-263-7）封裝的第二代CoolSiC? 650V G2碳化硅（SiC）MOSFET產品線，涵蓋從7mΩ到75mΩ共10款型號，進一步豐富其在中功率應用中的器件選擇。該系列產品基于第一代CoolSiC技術優化升級，在性能與可靠性方面實現多項突破。憑借優異的品質因數（FOMs）、業界領先...【詳情+】
近日，英飛凌推出全新基于CoolSiC? 400V SiC MOSFET的3L-ANPC拓撲虛擬評估板（EVAL_10KW_3LANPC_SIC），為工程師和研究人員提供了一套完整的三電平逆變器系統設計參考。該方案采用先進的碳化硅功率器件與優化的PCB布局，面向工業電機驅動、光伏組串逆變器等高效率、高功率密度應用場景...【詳情+】
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