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為滿足大功率牽引和風力發(fā)電等領域對高魯棒性、高可靠性和長壽命功率器件的需求，英飛凌（Infineon）推出了采用IGBT5和.XT技術的XHP?2模塊。這一創(chuàng)新結合了IGBT5的高功率密度和.XT互聯技術的長壽命特性，為高負載應用提供了卓越的性能和可靠性保障。
新推出的XHP?2模塊包括以下相關器件：FF1200XTR17T2P5、FF1200XTR17T2P5P、FF1800XTR17T2P5和FF1800XTR17T2P5P。這些模塊在設計上針對低電感進行了優(yōu)化，擁有擴展的運行溫度范圍，可達到TVjop=175°C。與傳統的IGBT4相比，這些模塊的輸出電流增加了25%以上，而且采用了銅鍵合線，可以實現更大的電流承載能力。燒結芯片設計使其具有卓越的功率循環(huán)能力，總損耗減少達20%，封裝的CTI>400，保證了其穩(wěn)定性和可靠性。
這些模塊的應用價值十分顯著，易于并行連接，從而可擴展電流輸出，同時單一封裝適用于多種應用和不同功率等級。其極其堅固可靠的特性，以及單個模塊的高功率輸出，可以減少系統中功率單元的數量，降低對冷卻系統的需求，從而降低系統成本。
此外，這些模塊還具有低IGBT Eoff損耗的特性，可以減少維護工作量，為各種應用提供更長久的使用壽命。因此，它們適用于各種領域，包括風力發(fā)電、牽引、太陽能、儲能以及電機控制和驅動等。這些功能使得英飛凌的XHP?2模塊成為當今大功率應用領域的理想選擇，為用戶提供了卓越的性能和可靠性保障。
近日，英飛凌宣布推出采用D2PAK-7（TO-263-7）封裝的第二代CoolSiC? 650V G2碳化硅（SiC）MOSFET產品線，涵蓋從7mΩ到75mΩ共10款型號，進一步豐富其在中功率應用中的器件選擇。該系列產品基于第一代CoolSiC技術優(yōu)化升級，在性能與可靠性方面實現多項突破。憑借優(yōu)異的品質因數（FOMs）、業(yè)界領先...【詳情+】
近日，英飛凌推出全新基于CoolSiC? 400V SiC MOSFET的3L-ANPC拓撲虛擬評估板（EVAL_10KW_3LANPC_SIC），為工程師和研究人員提供了一套完整的三電平逆變器系統設計參考。該方案采用先進的碳化硅功率器件與優(yōu)化的PCB布局，面向工業(yè)電機驅動、光伏組串逆變器等高效率、高功率密度應用場景...【詳情+】
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