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Vishay近日推出了五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊，為設計人員提供了更多的技術選項和靈活性。這些新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N組成，采用了Vishay的Trench IGBT技術制造，旨在降低運輸、能源和工業應用中的大電流逆變級的導通或開關損耗。
這些半橋器件利用Vishay的Trench IGBT技術，與第四代FRED Pt?超軟反向恢復二極管封裝在一起，提供了比市場上其他器件更好的節能效果。模塊采用小型INT-A-PAK封裝，具有新型柵極引腳布局，與34mm工業標準封裝完全兼容，可以通過機械插接方式進行更換。
這些工業級器件可用于各種應用的電源逆變器，包括鐵路設備、發電配電和儲能系統、焊接設備、電機驅動器和機器人。其中，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125°C額定電流下，具有極低的集電極至發射極電壓（≤1.07V），可降低TIG焊機輸出級的導通損耗，達到了行業領先水平。而VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應用，具有極低的開關損耗，在+125°C額定電流下，Eoff僅為1.0mJ。
這些模塊符合RoHS標準，集電極至發射極電壓為650V，集電極連續電流為100A至200A，結到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認證，可直接安裝散熱片，具有較小的EMI，并減少了對吸收電路的需求。Vishay的這一系列新型INT-A-PAK封裝半橋IGBT功率模塊將為工業應用領域帶來更高效、更可靠的解決方案。
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