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Vishay最近推出了一款新型80V雙通道N溝道功率MOSFET，該器件將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET結合在3.3mm x 3.3mm的PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中。這款Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用的功率轉換，旨在提高功率密度和能效，增強熱性能，減少元器件數量并簡化設計。
這款雙通道MOSFET可用來替代兩個PowerPAK 1212封裝的分立器件，從而節省了50%的基板空間。SiZF4800LDT為設計人員提供了節省空間的解決方案，適用于同步降壓轉換器、負載點（POL）轉換器、DC/DC轉換器半橋和全橋功率級等應用領域，包括無線電基站、工業電機驅動、焊接設備和電動工具。在這些應用中，SiZF4800LDT的高低邊MOSFET提供了50%的占空比優化組合，同時在4.5V下邏輯電平導通，簡化了電路驅動。
為了提高功率密度，該MOSFET在4.5V條件下的導通電阻典型值降至18.5mΩ，達到了業內先進水平，比相同封裝尺寸的最接近競品器件低16%。SiZF4800LDT的低導通電阻與柵極電荷乘積（即MOSFET功率轉換應用的重要優值系數）為131mΩ*nC，提高了高頻開關應用的效率。
該器件采用了倒裝芯片技術，增強了散熱能力，熱阻比競品MOSFET低54%。SiZF4800LDT的導通電阻和熱阻都很低，連續漏電流達到了36A，比接近的競品器件高出了38%。MOSFET獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局，支持縮短開關回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經過100% Rg 和 UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
競品對比表
SiZF4800LDT 現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為 26 周。如需數據手冊、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
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