意法半導體在碳化硅與氮化鎵領域取得顯著進展

來源：意法半導體官網| 發布日期：2024-04-25 12:00:01 瀏覽量：

意法半導體近日宣布，其在碳化硅領域的收入已突破11.4億美元大關，展現了公司在這一市場的領先地位。這一驕人成績不僅凸顯了意法半導體在寬禁帶材料（WBG）技術領域的深厚實力，更彰顯了其對于創新技術的持續投入與追求。

據悉，意法半導體的技術突破不僅體現在碳化硅領域，還成功解決了傳統技術中的平面結構和硅片良率問題。Muggeri表示：“我們成功降低了SiC晶體管中襯底的成本占比，這是一項具有里程碑意義的技術突破，為行業的發展注入了新的活力。”

意法半導體也看到了氮化鎵市場的巨大潛力。盡管目前氮化鎵技術相較于碳化硅尚顯稚嫩，但其高頻率和功率密度的優勢使得它在縮小無源器件尺寸和提高效率方面展現出了巨大的應用前景。意法半導體的MasterGaN和VIPerGaN技術正是針對這一市場需求而精心研發的，旨在為客戶提供更加高效、可靠的電源解決方案。

意法半導體將碳化硅和氮化鎵視為互補技術，可全面覆蓋幾乎所有商用功率水平。這兩種技術的不同特性可在不同系統和工作條件下提供特定優勢，從而滿足各種復雜應用場景的需求。意法半導體能夠同時提供這兩種WBG技術，并為客戶提供廣泛和高度專業化的支持，使其成功躋身可持續電源解決方案最佳半導體垂直整合制造商（IDM）之列。

在實際應用中，意法半導體的碳化硅和氮化鎵技術已經取得了顯著的成效。例如，在電動汽車（EV）充電站中，SiC-GaN混合三相逆變器的應用使得從電網向電池傳輸電力的過程更加高效，同時GaN的高開關頻率也實現了功率因數校正和波形濾波。此外，在2.5-5 kW電信服務器轉換器中，圖騰柱級使用SiC，LLC級使用GaN，實現了高頻操作，進一步提升了系統的效率和性能。

在汽車領域，意法半導體也在積極探索SiC-GaN混合配置的應用，以優化電動汽車牽引逆變器應用的性價比。這一舉措不僅有助于提升電動汽車的性能和效率，也為汽車行業的可持續發展注入了新的動力。

在供應鏈方面，意法半導體同樣表現出色。公司擁有自己的襯底生產線，并在瑞典、意大利等地進行了投資，以確保供應鏈的穩定性和可靠性。同時，意法半導體還在中國開展了投資活動，旨在滿足中國市場對碳化硅的巨大需求，并與中國的合作伙伴共同解決半導體市場的供需問題。如需采購意法半導體芯片、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

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