4月19日消息，全球領先的存儲器供應商SK海力士今日宣布，為進一步加強HBM產品的生產及推動先進封裝技術的發展，公司已與全球頂級邏輯代工企業臺積電達成戰略合作，并簽署了諒解備忘錄(MOU)。根據計劃，雙方將共同開發預計在2026年投產的第六代HBM產品——HBM4。

作為AI應用存儲器領域的佼佼者，SK海力士表示，此次與臺積電的合作將有力推動HBM技術的創新。通過構建包括IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠在內的三方技術合作體系，雙方將共同實現存儲器產品性能的新突破。

在合作過程中，兩家公司將首先聚焦于HBM封裝內的最底層基礎裸片(BaseDie)的性能改善。HBM是通過將多個DRAM裸片(CoreDie)堆疊在基礎裸片上，并通過硅通孔(TSV)技術進行垂直連接而成，而基礎裸片則連接至GPU，對HBM進行控制。此次合作將致力于優化這一結構，提升整體性能。

SK海力士從HBM4產品開始計劃采用臺積電的先進邏輯(Logic)工藝來制造基礎裸片。采用超細微工藝將為基礎裸片增添更多功能，進而生產出性能和功效更廣泛滿足客戶需求的定制化(Customized)HBM產品。

雙方還將合作優化SK海力士的HBM產品與臺積電的CoWoS技術融合。CoWoS是臺積電獨有的制程工藝，通過在特殊基板上搭載并連接邏輯芯片和HBM，實現了2D封裝基板上的邏輯芯片與垂直堆疊(3D)HBM的集成，形成了一種2.5D封裝技術。通過這一技術的融合，雙方將共同應對HBM相關客戶的要求，提供更優質的解決方案。

SK海力士AI Infra擔當社長金柱善表示：“通過與臺積電的合作伙伴關系，我們不僅將開發出最高性能的HBM4，還將積極拓展與全球客戶的開放性合作。未來，我們將致力于提升客戶定制化存儲器平臺的競爭力，以鞏固我們作為‘面向AI的存儲器全方位供應商’的地位?！?/p>

臺積電業務開發和海外營運辦公室資深副總經理暨副共同營運長張曉強也對此次合作表示了積極態度：“多年來，臺積電與SK海力士已建立了穩固的合作伙伴關系。通過結合最先進的邏輯工藝和HBM產品，我們已向市場提供了全球領先的AI解決方案。展望新一代HBM4，我們相信兩家公司通過密切合作將提供最佳的整合產品，為我們的共同客戶開展新的AI創新提供關鍵推動力?！?/p>

此次SK海力士與臺積電的合作，無疑將推動HBM技術的進一步發展，為AI應用帶來更為強大的存儲支持。雙方的合作也將加強彼此在全球半導體市場的地位，共同迎接未來的挑戰與機遇。