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據韓國媒體ETNews報道，由于在能效等方面表現優異，美光迅速嶄露頭角，成為SK海力士和三星電子兩大韓國存儲企業在HBM內存領域面臨的威脅。受多重因素影響，美光在HBM領域一直處于劣勢地位。然而，在2022年，美光大膽決定停止HBM3的量產，將重心轉移到HBM3E內存的研發和改進上。
這一決策帶來了豐碩的成果：美光已獲得了HBM最大需求方英偉達的訂單，開始向英偉達H200 AI GPU供應HBM3E內存。美光之所以迅速崛起成為韓國廠商的威脅之一，原因之一是其能效優勢：美光聲稱其8Hi堆疊的24GB HBM3E內存功耗比競品降低了30%。
在人工智能需求激增的當下，低功耗技術逐漸成為行業的關注焦點。更為節能的HBM3E內存有助于降低系統熱量和功耗，減少散熱需求，從而降低人工智能數據中心的總體成本。此外，考慮到美國渴望增加半導體自給率，美光獲得了美國政府大量資金支持，得以興建新型存儲晶圓廠。
美光作為美國企業，其身份也使其更容易接觸英特爾和AMD等AI芯片企業，從而贏得更多的HBM訂單。根據TrendForce集邦咨詢今年3月的研究報告，截至2023年底，美光每月HBM產能僅有3000片12英寸晶圓，市場占比為整體市場的3.2%。
預計到2024年底，美光的HBM產能將達到每月20000片晶圓，市場份額也將大幅提升至11.4%。展望美光未來的產品線，據報道，其單堆棧容量可達36GB的12Hi HBM3E內存已于3月初完成采樣，計劃于2025年實現大規模量產。而對于更進一步的HBM4一代，韓國媒體稱美光計劃在2025年下半年實現HBM4內存的研發，而HBM4E的研發完成時間則被設定在2028年。如需美光產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
生成式AI技術在云端到邊緣計算的廣泛應用中迅速普及，推動著系統架構在異構計算環境中的重大創新。AI的快速發展不僅推動了工業4.0、自動駕駛汽車、AI個人電腦和智能手機等邊緣應用的發展趨勢，同時也催生了內存子系統的重大技術創新，以提供更高的容量、帶寬、可靠性和更低的功耗，這...【詳情+】
近期，美光發布的內存和存儲產品組合備受矚目，這些新成就為AI技術的飛速發展增添了活力。美光推出的8層堆疊和12層堆疊HBM3E解決方案在業界引領潮流，其功耗比競品低30%。特別引人注目的8層堆疊24GB HBM3E產品將應用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU中。在最近的Six Five Media節目中...【詳情+】
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