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全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布已完成對氮化鎵（GaN）功率半導體全球供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）的收購。這一舉措將加速瑞薩電子為滿足寬禁帶（WBG）半導體產品需求而推出的GaN功率產品和相關參考設計。
GaN和碳化硅（SiC）等WBG材料擁有出色的功率效率、高開關頻率和較小占用空間，被看作下一代功率半導體的關鍵技術，與傳統硅基器件相比具有明顯優勢。在電動汽車（EV）、變頻器、數據中心服務器、人工智能（AI）、可再生能源、工業電源轉換和消費應用等領域的需求推動下，GaN和SiC產品未來十年都預計將實現快速增長。
Ren esas Power高級副總裁兼總經理Chris Allexandre表示，通過整合兩家公司技術的參考設計，客戶可以立即受益于新的GaN產品。將GaN產品加入產品陣容中，也進一步表明了瑞薩電子致力于開發讓人們生活更便利的產品和技術的承諾。提供強大、可持續的電源解決方案，節約能源、降低成本并最大限度減少對環境的影響是他們實現目標的途徑之一。
投資電源業務是瑞薩實現可持續長期增長戰略的重要組成部分。除了收購Transphorm，瑞薩還采取了其他舉措，如在甲府工廠開設專門生產電源產品的300 mm晶圓廠、在高崎工廠增設新的SiC生產線，并與Wolfspeed達成協議以確保未來10年SiC晶圓的穩定供應。現在GaN技術已成為瑞薩產品陣容的一部分，他們準備提供更全面的電源解決方案，以滿足客戶在廣泛應用領域不斷變化的需求。
同時，瑞薩還宣布推出了15款全新成功產品組合，這些參考設計可立即投入市場，將新的GaN產品與瑞薩的嵌入式處理、電源、連接和模擬產品相結合。其中包括使用Transphorm的汽車級GaN技術的車載電池充電器和電動汽車三合一動力系統解決方案。
Transphorm成立于2007年，總部位于美國加利福尼亞州戈利塔，源自加州大學圣巴巴拉分校和寬帶行業，以獨特的技術創新為基礎。作為GaN半導體領域的創新者，Transphorm設計、制造和銷售高性能、高可靠性的GaN電源產品，廣泛應用于各種高壓電源轉換應用。如需瑞薩電子產品、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
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