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近日，全球知名半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布計劃在漢堡工廠投資2億美元（約合1.84億歐元），用于研發下一代寬禁帶半導體產品，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），并建立生產基礎設施。同時，公司還將增加硅（Si）二極管和晶體管的產能。這一重大投資是為了慶祝該工廠成立100周年，并由漢堡經濟部長Melanie Leonhard博士與Nexperia共同宣布。
為滿足高效功率半導體不斷增長的需求，Nexperia將從2024年6月開始在德國進行SiC、GaN和Si等三種技術的研發和生產。這一舉措彰顯了Nexperia對電氣化和數字化領域關鍵技術的強大支持。SiC和GaN半導體使數據中心等高功率應用能夠以出色效率運行，同時也是可再生能源和電動汽車等領域的核心組件。這些寬禁帶技術具有巨大潛力，對實現脫碳目標至關重要。
Nexperia德國首席運營官兼常務董事Achim Kempe表示：該投資鞏固了公司作為節能半導體領先供應商的地位，使其能夠更負責任地利用可用電能。未來，漢堡工廠將覆蓋全系列寬禁帶半導體產品，同時仍是最大的小信號二極管和晶體管工廠。公司將繼續執行戰略，生產高質量、成本效益的半導體，以滿足各種應用需求，并應對當今世代所面臨的能源挑戰。
首條高壓D-Mode GaN晶體管和SiC二極管生產線已于2024年6月投入運營。下一步將是建立現代化、經濟高效的200毫米SiC MOSFET和低壓GaN HEMT生產線，預計將在未來兩年內在漢堡工廠完成。此舉還將有助于進一步實現現有基礎設施的自動化，并通過轉向使用200毫米晶圓來擴大硅的產能。新的研發實驗室正在建設中，確保未來從研究到生產的順暢過渡。
除了推動技術進步，Nexperia預計此舉措還將刺激當地經濟發展，為當地創造就業機會，增強歐盟半導體自給自足的能力。公司與大學和研究機構密切合作，共享專業知識并推動員工培訓。這些合作保證了Nexperia產品持續創新，技術表現卓越。Nexperia在漢堡廠百年歷史中的持續投入，凸顯了其致力于保持行業領先地位并為全球客戶提供創新解決方案的決心。
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