Vishay 推出第三代1200V碳化硅肖特基二極管，革新電源設計效能與可靠性

來源：Vishay官網| 發布日期：2024-07-07 18:00:04 瀏覽量：

全球領先的電子元器件制造商Vishay Semiconductor近日宣布，成功研發并推出了16款新型第三代1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管，這些器件采用了先進的混合PIN肖特基（MPS）結構設計，旨在提供卓越的浪涌電流保護性能，同時展現出低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流等多重優勢，為開關電源設計帶來前所未有的能效與可靠性提升。

創新技術，引領行業新標準

此次發布的第三代SiC二極管涵蓋了從5A至40A的電流范圍，采用多種封裝形式，包括TO-220AC 2L、TO-247AD 2L、TO-247AD 3L插件封裝以及D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。借助創新的MPS結構設計與激光退火背面減薄技術，二極管的電容電荷可低至28nC，正向壓降降至1.35V，極大地降低了導通損耗。在25°C的條件下，典型反向漏電流僅為2.5μA，確保了系統在輕載和空載狀態下的高能效。與傳統的超快恢復二極管相比，Vishay的第三代SiC二極管幾乎消除了恢復拖尾，進一步提升了系統效率。

應用廣泛，適應嚴苛環境

這些碳化硅二極管在FBPS（Forward Boost Power Supply）和LLC轉換器的AC/DC功率因數校正（PFC）及DC/DC超高頻輸出整流中展現出卓越性能，適用于光伏逆變器、儲能系統、工業驅動器、電動工具以及數據中心等領域的應用。即使在高達+175°C的工作溫度下，這些器件依然能保持穩定的性能，正向額定浪涌電流保護能力高達260A。值得一提的是，采用D2PAK 2L封裝的二極管使用了高CTI≥600的塑封料，確保了在電壓升高時的優異絕緣性能，為系統安全提供了堅實的保障。

高可靠性，符合行業標準

Vishay的第三代碳化硅二極管經過嚴格測試，展現出極高的可靠性。它們符合RoHS標準，不含鹵素，并通過了2000小時的高溫反偏（HTRB）測試和2000次的熱循環溫度循環測試，證明了其在極端條件下的持久耐用性。

Vishay此次推出的第三代1200V碳化硅肖特基二極管，以其卓越的性能和可靠性，為電源設計領域帶來了革命性的突破。無論是高能效、低損耗還是在嚴苛環境下的穩定表現，這些新型器件都將為工程師們提供前所未有的設計自由度，推動電源技術向更高水平邁進。

附16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管型號表

附16 款新型第三代 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管型號表