英飛凌科技近日宣布推出其第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝產品，這一系列創新器件采用了先進的D2PAK-7L(TO-263-7)封裝技術，繼承并超越了第一代產品的卓越性能，為電力轉換系統的成本優化、效率提升和可靠性保障設立了新的行業標準。

第二代CoolSiC? SiC MOSFET：性能再升級

新一代產品在硬開關條件和軟開關拓撲中展現了顯著的性能改善，適用于包括交流-直流、直流-直流、直流-交流在內的各種功率變換場景，為系統設計者提供了前所未有的靈活性與效率。

關鍵產品型號

- IMBG120R008M2H

- IMBG120R012M2H

- IMBG120R017M2H

- IMBG120R022M2H

- IMBG120R026M2H

- IMBG120R040M2H

- IMBG120R053M2H

- IMBG120R078M2H

- IMBG120R116M2H

- IMBG120R181M2H

- IMBG120R234M2H

產品特色與優勢

-超低開關損耗：實現高效能源轉換。

-高溫過載能力：最高運行溫度可達Tvj=200°C，適應極端工作環境。

-短路耐受性：2μs的短路耐受時間，確保系統安全。

-精確柵極閾值電壓：VGS(th)=4.2V，提高控制穩定性。

-強化抗寄生開通：支持0V柵極關斷，增強器件可靠性。

-堅固體二極管：優化硬換流性能。

-XT互聯技術：提供同類產品中最佳的熱管理能力。

應用價值

-提升能源效率：減少能量損失，延長系統壽命。

-優化熱管理：提高散熱效率，減少冷卻需求。

-增強功率密度：實現更緊湊的設計，節省空間。

-新增穩健性功能：增強系統應對異常狀況的能力。

-確保高可靠性：減少故障率，降低維護成本。

競爭優勢

-最低導通電阻RDS(on)：保證最高輸出能力。

-最全面的產品系列：涵蓋8-234mΩ范圍內的11種型號，滿足多樣化需求。

-卓越的過載溫度承受：最高可達Tvj=200°C，擴大應用范圍。

-強大的短路規格：確保系統在極端條件下依然穩定。

-優異的雪崩穩健性：提高系統整體的魯棒性。

應用領域

-電動汽車充電基礎設施：加速綠色出行的普及。

-組串式逆變器：優化太陽能發電系統的性能。

-在線式不間斷電源(UPS)/工業UPS：保障關鍵負載的連續供電。

-通用變頻驅動器(GPD)：提升工業自動化水平。

英飛凌科技的第二代CoolSiC? SiC MOSFET，以其卓越的性能、廣泛的適用性和出色的可靠性，正引領電力轉換技術邁入一個嶄新的時代，為全球能源轉換和工業自動化領域帶來革命性的變革。如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。