2024年7月16日，全球領先的半導體解決方案供應商美光科技股份有限公司（NASDAQ: MU）宣布，已開始向客戶出樣其最新研發(fā)的多路復用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。這款革命性的內(nèi)存模塊專為應對復雜工作負載而設計，旨在推動計算基礎設施的效能邊界，尤其適用于內(nèi)存密集型的虛擬化多租戶、高性能計算和AI數(shù)據(jù)中心環(huán)境。

美光MRDIMM的推出，標志著內(nèi)存技術的一個重要里程碑。它不僅提供了前所未有的內(nèi)存帶寬、容量和低延遲，還實現(xiàn)了更高的每瓦性能。相比傳統(tǒng)的TSV RDIMM，MRDIMM能夠支持每個DIMM插槽超過128GB的內(nèi)存，展現(xiàn)出色的性能優(yōu)勢。作為美光MRDIMM系列的首款產(chǎn)品，它將與英特爾?至強?6處理器平臺兼容，為用戶帶來卓越的計算體驗。

美光副總裁兼計算產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理Praveen Vaidyanathan強調(diào)：“美光的MRDIMM是下一代服務器平臺的理想選擇，它在提供與RDIMM相同的可靠性、可用性、適用性和接口的基礎上，大幅提升了任務執(zhí)行效率和能源利用率，為AI推理和高性能計算領域開辟了全新的可能性。”

MRDIMM通過嚴格遵循DDR5的物理和電氣標準，實現(xiàn)了內(nèi)存架構上的重大突破。相較于RDIMM，MRDIMM能夠提供高達39%的有效內(nèi)存帶寬提升、超過15%的總線效率提升以及高達40%的延遲降低。這些優(yōu)勢使得MRDIMM成為高性能1U和2U服務器的理想選擇，提供從32GB到256GB的容量范圍，滿足多樣化的應用需求。

美光科技精心設計的TFF（Thin Form Factor）模塊，通過優(yōu)化的散熱方案，能夠在相同的功耗和氣流條件下，將DRAM溫度降低高達20攝氏度，顯著改善了數(shù)據(jù)中心的熱管理和能效。利用先進的32Gb DRAM芯片，256GB TFF MRDIMM實現(xiàn)了與128GB TFF MRDIMM相媲美的功耗水平，同時在數(shù)據(jù)傳輸速率方面比同等容量的TSV RDIMM提升了35%，極大地優(yōu)化了總系統(tǒng)任務能耗，為數(shù)據(jù)中心帶來了前所未有的TCO（Total Cost of Ownership）優(yōu)勢。

英特爾副總裁兼數(shù)據(jù)中心至強6產(chǎn)品管理總經(jīng)理Matt Langman表示：“MRDIMM與英特爾至強6處理器的無縫兼容，為客戶提供了更多的靈活性和選擇空間。無論是在高性能計算、AI還是其他工作負載場景下，MRDIMM都能提供卓越的性能表現(xiàn)，與英特爾至強6平臺完美融合，為用戶提供無與倫比的計算體驗。”

聯(lián)想集團副總裁兼人工智能和高性能計算總經(jīng)理Scott Tease指出：“美光MRDIMM的出現(xiàn)，將有力彌補處理器和GPU核心數(shù)量激增與內(nèi)存帶寬增長之間的不平衡，特別是在AI推理、再訓練以及高性能計算等關鍵領域，將極大縮小帶寬差距，為用戶帶來更加均衡、高效和可持續(xù)的技術解決方案。”

目前，美光MRDIMM已經(jīng)上市，并計劃于2024年下半年進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。未來，美光將繼續(xù)推動MRDIMM產(chǎn)品的迭代升級，承諾后續(xù)幾代產(chǎn)品將提供比同代RDIMM高出45%的單通道內(nèi)存帶寬，持續(xù)引領內(nèi)存技術的發(fā)展潮流。