英飛凌PCS中使用的常見拓撲結構及相關電子元器件

來源：英飛凌官網| 發(fā)布日期：2024-07-31 14:00:01 瀏覽量：

英飛凌PCS中使用的常見拓撲結構強調了對各種功率半導體的要求，從晶閘管和二極管到IGBT和MOSFET，工作電壓和電流范圍很廣。英飛凌全面的功率半導體產品組合（見圖1）可一站式滿足所有功率半導體需求。它涵蓋了從幾千瓦到幾兆瓦所有功率的交流和直流耦合拓撲(射頻，無線電信號)頻譜的全部性能。

英飛凌的功率半導體產品組合涵蓋了各種交流和直流耦合拓撲的全部性能范圍[10]

英飛凌的產品組合包括以下器件：

■ 晶閘管

晶閘管整流器通常用于大電流（>1兆瓦）、交流耦合應用。英飛凌提供各種適用于大功率、大電流整流器的晶閘管。此外，還包括一系列平板型相控晶閘管和模塊。功率圓盤可雙面冷卻，具有出色的電流密度和可靠性。英飛凌提供帶111毫米圓盤的預制風冷堆棧和帶120毫米圓盤的5兆瓦水冷堆棧。預制堆棧和模塊化機柜設計可簡化整流器設計，縮短上市時間。T3841N18就是用于高能量設計的大電流晶閘管的一個例子。

T3841N18，平板型晶閘管

圖1.T3841N18，平板型晶閘管

■ IGBT

IGBT可用于AFE、MMC、交錯降壓和DAB拓撲。英飛凌廣泛的IGBT產品包括一系列封裝，從小功率（分立和Easy）到中等功率（EconoDUAL?和62mm）和高功率（PrimePACK?、IHV）。電解應用通常需要大直流電流，英飛凌在每個封裝中都提供大電流模塊。例如，IKY140N120CH7采用基于IGBT7技術的TO-247PLUS封裝，電流為140A；FF800R12KE7采用類似技術，電流為800A，采用標準62mm封裝。對于AFE拓撲結構，較大的二極管是有益的，因為轉換器是作為整流器運行的。在此，英飛凌提供增強二極管模塊，如針對整流進行優(yōu)化的FF1700XTRIE5D。

對于接近低電壓指令規(guī)定的1500VDC極限的解決方案，英飛凌憑借FF1800R23IE7在市場上處于領先地位。

IGBT

■ SiC MOSFET

SiC MOSFET對于DAB和高開關頻率應用尤其具有吸引力。英飛凌的產品組合包括各種SiC MOSFET。它已經涵蓋了1500VDC的細分市場，并提供各種封裝的2kV SiC模塊例如，IMYH200R012M1H只有12mΩ，采用專為1500 VDC應用設計的TO-247-4-PLUS-HCC封裝。在更標準的封裝（如62毫米）中，英飛凌的產品系列包括1.2KV電壓的2mΩ FF2MR12KM1H和2kV電壓的3mΩ FF3MR20KM1H。

英飛凌還提供FF2000XTR33T2M1，這是一款3.3kV 2mΩ SiC，，采用低電感XHP2封裝。該模塊具有獨特的3μs短路耐受能力。

SiC MOSFET