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安森美（onsemi）憑借其在裸芯片性能、差異化封裝技術和模塊設計領域的獨特優勢，成為了碳化硅（SiC）功率器件領域的領軍者。該公司專注于第三代平面柵結構碳化硅器件的研發，并在溝槽柵結構方面持續探索，同時通過封裝技術的不斷迭代，以滿足不同應用的需求。
SiC功率器件及封裝技術
安森美的SiC功率器件涵蓋了SiC MOSFET、SiC二極管以及全SiC和混合SiC模塊。這些器件采用了差異化的壓鑄模封裝，并且SiC工藝平臺已經從M1的方形元胞結構、M2的六邊形元胞結構發展到了M3的條形元胞結構。這種技術迭代帶來了在導通電阻、開關損耗、反向恢復損耗以及短路時間等關鍵性能指標上的顯著改進，同時也實現了成本的優化。
功率模塊及先進封裝
通過采用先進的封裝技術，如銀燒結和壓鑄模雙面水冷等，安森美實現了高效率和高功率密度的功率模塊。這些模塊被應用于車載充電器、主驅逆變器和DC-DC轉換器等領域，有效優化了能源使用，延長了電池壽命，并確保了車輛電氣系統的穩定運行。特別值得一提的是，安森美推出的Top Cool MOSFET將散熱焊盤移至頂部，使得散熱器可以直接焊接到器件上，這不僅提高了MOSFET的散熱性能，還允許在PCB的下側布置更多元件，從而提高了功率密度并簡化了設計。
VE-Trac Dual：優化牽引逆變器性能
VE-Trac Dual是安森美專為插電式混合動力車（PHEV）、完全混合動力車（HEV）、純電池車（BEV）和燃料電池電動車（FCEV）設計的電源模塊。它針對牽引逆變器進行了優化，實現了雙面冷卻技術，進而獲得了高功率密度和緊湊的尺寸。逆變器作為電力傳動系統的關鍵組件，其性能直接影響電動車的整體能效和續航里程。通過VE-Trac Dual，安森美旨在進一步提高電動車的能效。
主驅電源封裝技術的發展
按照規劃，安森美將在2023年中期將其主驅電源封裝技術從雙面間接水冷過渡到直接水冷模式，并預計到2023年底實現雙面直接水冷，2024年中期將進一步優化為雙面直接水冷+方案。這一系列的技術進步旨在不斷降低器件的熱阻。
仿真工具支持快速開發
為了幫助電力電子工程師節省時間和成本，安森美還提供了針對EliteSiC系列及應用的Elite Power Simulator在線仿真工具和PLECS模型自助生成工具。這些工具使工程師能夠在開發周期的早期階段，通過對復雜電力電子應用進行系統級仿真來獲取有價值的信息，適用于軟/硬開關應用、邊界建模和自定義寄生環境。
安森美NIV3071電子保險絲（eFuse）以其緊湊的6x5mm封裝尺寸，顯著減少了所需的電路板面積，與傳統的機械繼電器和熔斷器相比，提供了更加高效的空間利用方案。在故障情況下，由于其保護功能能夠同時保護器件本身和負載，因此無需更換，有助于實現車輛內的分布式區域控制架構。該器件提供兩種類...【詳情+】
近日，全球領先的半導體解決方案供應商安森美（onsemi）宣布與汽車行業巨頭大眾汽車集團（Volkswagen Group）達成一項里程碑式的多年合作協議。根據協議，安森美將成為大眾汽車集團可擴展系統平臺（SSP）下一代主驅逆變器的主要供應商，提供一套完整的電源箱解決方案，旨在推動電動汽車（EV）行業的技...【詳情+】
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