業界一直在討論從傳統的硅基 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）完全切換到 SiC（碳化硅）MOSFET 的時機是否已經成熟。安森美半導體認為，目前全面轉向 SiC MOSFET 還為時過早。SiC 替代 IGBT 的主要邏輯在于系統的性價比。SiC 器件以其高速、高溫特性及低開關損耗等優點，在整體系統效率上優于 IGBT。

SiC MOSFET 的優勢

- 速度：SiC 器件的開關速度更快，可以顯著提高系統的響應速度。

- 高溫特性：SiC 材料具有更好的高溫穩定性，能夠在更高的溫度下工作。

- 低開關損耗：SiC 器件在開關過程中產生的損耗更低，從而提高了系統的整體效率。

這些特性使得 SiC 在許多應用中表現出比 IGBT 更高的效率。系統效率的提升帶來的經濟收益或其他方面的收益超過了 SiC 替代 IGBT 所帶來的成本上升，因此客戶愿意采用 SiC 技術。

應用領域

目前，SiC 器件已經在多個領域得到應用，尤其是在高壓應用中，如新能源汽車、充電樁、開關電源、鐵路/高鐵牽引系統（1.7KV-3.3KV）、光伏等領域。在車載大功率電源應用中，如 OBC（車載充電器）、高壓轉低壓 DC/DC 轉換器和電驅系統中，SiC 器件已經顯示出明顯的性能優勢。

成本與選擇

在不考慮成本的情況下，SiC 是更優的選擇。但在實際應用中，成本是一個重要因素。對于 650V 和 750V 耐壓的應用，SiC 適合追求更高效率和更高功率密度的中高端需求，而 IGBT 則更適合對購置成本敏感的應用。

在高壓電驅應用中，SiC 已成為大功率電驅系統的主流選擇，而 IGBT 仍然用于追求性價比的中低功率電驅應用。在某些高壓雙電驅系統中，甚至會出現 SiC 和 IGBT “高低搭配”的整車系統。雖然 SiC MOSFET 在某些領域與 IGBT 存在競爭關系，但更多的是作為互補存在，特別是在高壓、高效率的應用場景中，SiC MOSFET 展現出明顯的優勢。

未來發展趨勢

安森美認為，SiC 技術和產業鏈將在以下幾個方面持續演進：

1. 市場規模擴大：預計未來幾年內，SiC 功率器件的市場規模將持續增長，并保持高速增長態勢。

2. 8 英寸晶圓技術：隨著 8 英寸晶圓技術的成熟和成本的降低，SiC 器件的市場主流將從 6 英寸轉向 8 英寸。

3. 產品性能優化：通過不斷改進 SiC MOSFET 的結構（如從 M1 系列到 M3S 系列），減少導通電阻和開關損耗，提高器件的工作效率和可靠性，以滿足新能源汽車、充電樁、光伏新能源等領域的高要求。

產業鏈發展

隨著 SiC 技術的成熟和市場需求的增長，規模化生產將成為 SiC 產業鏈的重要發展方向。未來，SiC 產業鏈將更加注重垂直整合和協同合作。通過整合上下游資源，實現產業鏈的優化配置，提高整體競爭力。隨著 SiC 技術的進步和成本的降低，SiC 產業鏈將拓展到更多應用領域。

政策支持

各國政府將繼續加大對 SiC 產業的政策支持力度，包括資金扶持、稅收優惠、人才培養等方面。這將有助于推動 SiC 產業的快速發展，形成完善的產業鏈生態。

總之，雖然 SiC MOSFET 在許多應用中已經顯示出顯著的優勢，但全面替代 IGBT 仍需時間。隨著技術的進步和成本的降低，SiC 將在未來幾年內逐步擴展其市場份額，并在更多領域發揮重要作用。如需安森美產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。