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安森美在其技術發展“路線圖”中，將溝槽技術視為一個重要的發展方向，同時也在持續深化其在平面技術上的研發。這一策略旨在克服溝槽技術所面臨的挑戰，同時利用平面技術成熟的優勢，確保產品性能達到最優。
安森美的平面SiC MOSFET建立在公司及整個行業數十年的全球制造經驗之上，因此具備了無可比擬的性能、穩定性和可靠性。這種器件不僅擁有優化的供應鏈，還經過了廣泛的現場驗證，累計使用時間已達數萬億小時，故障率極低。特別是在柵極氧化層方面，安森美通過嚴格的100%缺陷篩選和加速電氣測試，確保了產品的耐用性。
安森美從M1/M2平面技術起步，逐漸引入更先進的條紋管芯和平面技術，如M3T和M3S，以及業界領先的薄晶圓技術，這些都大大減小了管芯尺寸。第三代M3e標志著平面技術發展的巔峰，其管芯間距相比M1減少了超過60%，實現了更高的可制造性和使用壽命。此外，M3e還通過提高閾值電壓和降低臨界導通電阻簡化了柵極電路設計，增強了對寄生導通的抗干擾能力。
隨著技術的進步，安森美計劃推出下一代M4S和M4T產品，它們將采用先進的溝槽設計和薄晶圓技術，進一步縮小管芯體積，并提供有別于傳統平面器件的卓越性能。第四代MOSFET將實現100%溝槽利用率，為市場帶來真正的創新。
值得注意的是，在從硅襯底轉向SiC的過程中，許多客戶首次接觸這種新材料時可能未充分意識到其潛在的可靠性風險。相較于硅襯底，SiC中的碳在氧化過程中扮演的角色更加復雜，可能會引起界面問題。安森美正積極應對這些問題，以確保新技術產品的可靠性和長期穩定性。
綜上所述，盡管安森美積極推進溝槽技術的發展，但現階段其平面SiC MOSFET仍然以其高可靠性、穩定性和成本效益占據重要地位。
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