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近日，據朝鮮日報報道，三星電子的存儲業務部門（DS部門）已經完成了HBM4內存邏輯芯片的設計，并交由Foundry業務部采用4nm工藝進行試產。面對在HBM3E市場落后于SK海力士的局面，三星正計劃通過采用更先進的工藝技術，以最大限度地提高HBM4的性能和競爭力。
HBM4相較于前一代產品，在設計和技術上實現了顯著的優化和創新。最引人注目的變化之一是其底部邏輯芯片的制造方式。不同于HBM3E僅依賴于內存制造商自身的工藝，HBM4的邏輯芯片將采用代工工藝，這意味著三星需要與邏輯晶圓廠合作，以便支持更多的信號引腳、更大的數據帶寬以及客戶定制功能。例如，SK海力士已決定采用臺積電的5nm工藝來生產HBM4的邏輯芯片，并允許客戶集成專有IP，從而增強產品的性能和定制化能力。
HBM4不僅提升了堆疊層數從12層增加到16層，進一步增加了容量和帶寬，還在邏輯芯片中集成了系統半導體功能，如低功耗特性等，以更好地滿足特定應用場景的需求。此外，針對發熱問題——這是HBM技術面臨的最大挑戰之一，三星電子正在大規模應用4nm工藝，旨在提高整體性能的同時改善散熱效果。
為了追趕競爭對手并重獲市場份額，三星電子調整了其HBM產品的開發策略。除了采用先進的4nm工藝外，三星還計劃在其HBM4產品中使用第六代（c）10nm DRAM芯片進行堆疊，而SK海力士目前仍在使用第五代（b）10nm DRAM。隨著DRAM工藝的進步，這種轉變不僅能縮小尺寸，還能提升性能和能效。
值得注意的是，三星電子正在探索一種新的堆疊方法——混合鍵合技術，它通過銅直接連接芯片，而非傳統的“凸塊”方式，這不僅可以減小尺寸，還可以提高性能。同時，三星還采用了“先進的熱壓非導電粘合膜（TC-NCF）技術”，每次堆疊時都會放置薄膜狀材料，最多可以堆疊12層HBM產品。
一位行業專家評論說：“三星電子在代工工藝方面取得了快速進展，”他補充道，“由于之前幾代產品落后，我們現在正加緊推進HBM4項目，以更快地響應客戶的樣品測試和改進建議。”
近期，三星電子在半導體封裝領域取得了重大進展，尤其在面板級封裝（PLP）領域超越了臺積電。2019年，三星電子以7850億韓元（約合5.81億美元）從三星電機手中收購了PLP業務，為其目前的發展奠定了基礎。今年3月的股東大會上，三星電子半導體業務（DS）部門前負責人Kyung Kye-hyun詳細解釋了PLP技術...【詳情+】
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