安森美最新發(fā)布的T10 PowerTrench?系列與EliteSiC 650V MOSFET的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，為數(shù)據(jù)中心帶來(lái)了革新性的解決方案。這一組合不僅在更小的封裝尺寸中實(shí)現(xiàn)了卓越的能效和熱性能，而且在全球能源節(jié)約方面有著不可忽視的貢獻(xiàn)。

隨著全球數(shù)字化進(jìn)程的加速，數(shù)據(jù)中心作為信息處理的核心樞紐，其能耗問(wèn)題日益凸顯。據(jù)估算，采用安森美的新型解決方案后，數(shù)據(jù)中心可減少約1%的電力損耗。若此方案得以廣泛應(yīng)用，每年將節(jié)省大約10太瓦時(shí)的能源消耗，這相當(dāng)于節(jié)省了4.29億噸煤炭發(fā)電量，足夠近百萬(wàn)戶家庭一年的用電需求。因此，該技術(shù)對(duì)于推動(dòng)綠色計(jì)算和可持續(xù)發(fā)展具有重大意義。

安森美EliteSiC 650V MOSFET以其出色的開(kāi)關(guān)特性和較低的寄生電容著稱(chēng)，在提高數(shù)據(jù)中心效率方面表現(xiàn)出色。相較于前代產(chǎn)品，新一代碳化硅MOSFET的柵極電荷減少了50%，同時(shí)輸出電容中的能量(Eoss)及輸出電荷(Qoss)降低了44%，這些改進(jìn)有效降低了導(dǎo)通損耗。此外，由于沒(méi)有拖尾電流，且高溫下的性能更為優(yōu)異，EliteSiC 650V MOSFET能夠顯著降低關(guān)斷損耗，并提供比傳統(tǒng)硅基器件更高的熱量管理效率，從而支持更高的工作頻率并減小系統(tǒng)組件尺寸，最終實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)成本的全面下降。

與此同時(shí)，T10 PowerTrench系列則專(zhuān)注于解決DC-DC功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中高電流處理的問(wèn)題。通過(guò)緊湊設(shè)計(jì)，它在小體積內(nèi)提供了更高的功率密度和優(yōu)秀的散熱能力。這得益于屏蔽柵極溝槽結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，使得該系列產(chǎn)品具備超低柵極電荷以及低于1毫歐的導(dǎo)通電阻RDS(on)。軟恢復(fù)體二極管和低Qrr特性進(jìn)一步優(yōu)化了電氣性能，確保設(shè)備即使在極端條件下也能保持最佳的工作狀態(tài)、可靠性和穩(wěn)定性。值得一提的是，T10 PowerTrench 系列同樣滿足了汽車(chē)應(yīng)用對(duì)嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)的要求。

總的來(lái)說(shuō)，這兩種創(chuàng)新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)的重大進(jìn)步。它們不僅加快了電子遷移速度，提高了開(kāi)關(guān)操作的速度，還能夠在更高溫度下安全運(yùn)行，同時(shí)也增強(qiáng)了冷卻效果。碳化硅材料本身所具有的高導(dǎo)熱性，更是促進(jìn)了更高效的散熱機(jī)制，使得整個(gè)系統(tǒng)的效能得到了極大提升。安森美通過(guò)不斷的技術(shù)創(chuàng)新，正引領(lǐng)著數(shù)據(jù)中心向更加節(jié)能高效的方向邁進(jìn)。

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