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近日,華大半導體與湖南大學在上海聯合舉辦了一場關于SiC(碳化硅)功率半導體技術的研討會。此次會議旨在探討SiC功率半導體在設計、制造及材料等領域的最新進展及其面臨的挑戰。通過深入交流和討論,雙方不僅分享了各自的研究成果,還為未來的合作奠定了堅實的基礎。
會上,來自湖南大學電氣與信息工程學院的王俊教授詳細介紹了SiC功率半導體芯片設計與應用領域的熱點問題,并展示了其團隊取得的最新研究成果。王教授指出,隨著新能源汽車、工業自動化等領域的快速發展,對高效能、高可靠性的功率半導體器件的需求日益增加。SiC材料憑借其優越的電學性能,成為滿足這些需求的理想選擇之一。
翟東媛副教授則聚焦于缺陷測試方面的前沿趨勢,系統地闡述了其團隊在這一領域的研究基礎。她強調,盡管SiC功率半導體具有諸多優勢,但在實際應用中仍面臨諸多挑戰,如材料內部的缺陷可能導致器件失效或性能下降。因此,開發高效的缺陷檢測方法對于提升SiC功率半導體的整體性能至關重要。
華大半導體的四位技術專家也在會上進行了精彩的分享,結合近期參加的國際專業會議ICSCRM上的熱點議題,他們就企業SiC MOSFET工藝、電動汽車用SiC MOSFET以及SiC材料領域的最新進展和挑戰進行了深入剖析。專家們一致認為,盡管SiC技術在近年來取得了顯著的進步,但要在大規模商業化應用中取得成功,還需要克服諸如成本控制、生產工藝優化等一系列難題。
特別是在電動汽車領域,SiC MOSFET因其高效能、低損耗的特點被視為下一代電力電子器件的關鍵組件。然而,如何在保證高性能的同時降低成本,成為了業界關注的焦點。華大半導體的技術專家們分享了他們在這一領域的實踐經驗,并提出了多項創新解決方案,旨在推動SiC MOSFET技術的進一步發展。
本次研討會為華大半導體與湖南大學提供了一個高效的交流協作平臺,雙方展開了熱烈的討論與交流,氣氛活躍、互動頻繁,取得了良好的效果。通過這樣的學術交流活動,不僅可以促進高校與企業在科研成果轉化方面的合作,還能加速技術創新的步伐,共同攻克行業內的關鍵難題。
未來,隨著更多類似的合作與交流活動的開展,相信SiC功率半導體技術將在設計、制造及應用等方面取得更大的突破,為推動我國乃至全球半導體產業的發展貢獻力量。同時,這也為相關領域的研究人員和技術人員提供了寶貴的學習機會,有助于提升整個行業的技術水平和創新能力。通過持續不斷的探索與實踐,SiC功率半導體必將在更多的應用場景中展現出其獨特的優勢,助力實現更加綠色、高效的能源利用方式。