即將于2025年3月27日至28日在上海金茂君悅大酒店舉行的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC），將為全球半導體行業帶來一場科技盛宴。作為參展商之一，上海貝嶺將在展位號B05展示其最新的功率半導體解決方案，并由工業市場經理康博帶來主題為“功率半導體方案賦能高效可靠光儲系統”的精彩演講。

展會亮點與議程

此次IIC展會選址在上海浦東新區世紀大道88號的金茂大廈內，旨在探討綠色能源生態發展、中國IC設計創新、EDA/IP、MCU技術與應用、高效電源管理及寬禁帶半導體技術等多個關鍵領域。除了豐富的產品和技術展示外，大會還將舉辦企業新品發布會、高端峰會論壇以及年度重磅獎項揭曉等多維度活動內容，為參會者提供全方位的學習和交流機會。

上海貝嶺推薦產品概覽

BLG40T120FDK5

這款IGBT采用第五代微溝槽多層場截止技術，電壓等級為1200V，電流達到40A。它具備快速開關、低關斷損耗和低導通電壓的特點，適用于光伏逆變器、PCS、開關電源逆變器和工業焊機等高頻應用場景。終端采用了電場優化技術，提升了產品的可靠性，滿足HV-H3TRB等標準。

BLG40T120FDL5

同樣基于第五代技術，BLG40T120FDL5在優化了導通損耗和開關損耗的基礎上，實現了更好的輸出特性。通過改進cell設計，該產品可達到超過10us的短路耐受時間，適合通用變頻器和三相全橋逆變等需要高可靠性和強短路能力的應用場景。

BLG80T65FDK7與BLG80T65FDL7

這兩款基于第七代技術的IGBT產品，電壓等級為650V，電流為80A。它們具有快速開關和低關斷損耗的優勢，特別適合充電樁和工業焊機等高頻應用。其中，BLG80T65FDL7進一步加強了短路性能，適用于電機驅動、通用驅動和通用變頻器等有短路要求的應用。

BLQG160T75FDL7與BLQGMS820T75FEDL7

前者是一款車規級IGBT，適用于工業和農業車主驅系統；后者則是大電流車規級IGBT模塊，專為電動或混動汽車主驅逆變回路設計。兩者均采用了HPD封裝形式，確保了高可靠性和穩定性。

SiC MOSFET系列產品

最后介紹的是SiC MOSFET系列產品，包括BLC13N120和BLCMF011N120DG2。前者是一款1200V電壓等級、13mohm導通電阻的平面SiC MOSFET，廣泛應用于固態斷路器、高壓DC-DC轉換器等領域；后者則是一個緊湊型半橋拓撲結構的SiC MOSFET模塊，在高效轉換器、光伏逆變器和智能電網等領域表現出色。

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康博的主題演講

在本次大會上，上海貝嶺工業市場經理康博將以“功率半導體方案賦能高效可靠光儲系統”為主題發表演講。他將詳細介紹如何利用先進的功率半導體技術提升光儲系統的效率和可靠性，探討未來發展的趨勢和挑戰。康博的演講不僅將揭示上海貝嶺在光儲系統領域的最新研究成果，還將分享實際應用案例，幫助聽眾更好地理解這些技術的實際價值。