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隨著高功率應用領域對分立式碳化硅(SiC) MOSFET需求的不斷增長，Nexperia（安世半導體）正式推出了一系列高效、穩定可靠的工業級1200 V SiC MOSFET。這些器件采用了創新的表面貼裝(SMD)頂部散熱封裝技術X.PAK，為電池儲能系統(BESS)、光伏逆變器、電機驅動器及不間斷電源(UPS)等應用場景提供了卓越的性能。
新款SiC MOSFET系列不僅在溫度穩定性方面表現出色，還通過獨特的X.PAK封裝設計實現了優異的散熱效果。X.PAK封裝尺寸僅為14 mm × 18.5 mm，結合了SMD技術和通孔技術的優點，既保證了緊湊的外形，又提升了散熱效率。這一設計特別適合需要高效散熱的高功率應用，如電動汽車充電基礎設施中的充電樁。
1. 創新的X.PAK封裝
X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架，從而顯著提高了散熱性能。這種設計不僅減少了通過PCB散熱帶來的負面影響，還使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動化電路板封裝流程。此外，它確保了從外殼頂部高效散熱，進一步增強了熱管理能力。
2. 卓越的溫度穩定性
新款SiC MOSFET在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDS(on)標稱值僅增加38%，遠優于許多同類產品。相比之下，其他制造商的產品在相同條件下，RDS(on)標稱值可能增加超過100%。這表明Nexperia的新品在高溫下的導通損耗控制更加出色，有助于提升整體系統的能效。
3. 廣泛的應用場景
這些SiC MOSFET適用于多種高功率工業應用，包括但不限于：
電池儲能系統(BESS)：提供高效的能量存儲和釋放解決方案。
光伏逆變器：優化太陽能發電系統的轉換效率。
電機驅動器：提高電機運行效率，降低能耗。
不間斷電源(UPS)：確保電力供應的連續性和可靠性。
電動汽車充電基礎設施：特別是充電樁，助力快速充電技術的發展。
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