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在2025年4月28日舉行的“2025西部半導體產業創新發展論壇暨陜西省半導體行業協會成立20周年大會”上,華羿微電憑借其卓越的技術創新能力和市場影響力,榮獲了“突出貢獻產品獎”和“突出貢獻單位獎”。此次獲獎不僅是對華羿微電在半導體功率器件領域持續探索的肯定,更是對其在促進陜西省乃至全國半導體產業發展中所扮演角色的高度認可。
自陜西省半導體行業協會成立以來的二十年間,陜西的半導體行業經歷了快速的發展與變革。此次頒獎典禮旨在表彰那些在技術創新、產品質量提升以及市場拓展等方面表現突出的企業和個人。作為半導體功率器件領域的領軍者,華羿微電憑借其【寬SOA 30V SGT MOSFET產品】的出色性能和廣泛應用,成功摘得“突出貢獻產品獎”。
華羿微電自主研發的寬SOA 30V SGT MOSFET產品基于公司成熟的30V SGT MOSFET平臺開發,特別集成了具有寬安全工作區(SOA)特性的晶胞設計,使得該產品的內阻低于0.33mOhm。實驗數據顯示,在Vds=12V,PT=100mS脈沖條件下,其SOA值超過14A,抗沖擊能力提升了約85%。相較于國際一線品牌同類產品,華羿微電的寬SOA特性提高了50%,在PDFN5x6封裝下,關鍵參數指標Rsp達到3.8mOhm-mm2,品質因子FOM達到了45.5 mOhm-nC,技術指標處于國內外領先水平,實現了對外資產品的完全替代。
這款由華羿微電推出的國內首創30V寬SOA功率MOSFET器件,打破了長期以來國外技術的壟斷局面。憑借其極寬的安全工作區間、超低的電阻以及優異的動態響應和可靠性,該產品已被廣泛應用于數據中心及服務器等領域,并迅速獲得了市場的高度評價,成為公司的核心產品之一。它不僅為客戶提供了更加高效、可靠的解決方案,同時也為國內半導體產業的技術進步樹立了新的標桿。
華羿微電的成功,離不開其對技術研發的不懈追求和對市場需求的深刻理解。通過不斷地技術創新和優化,華羿微電不僅提升了自身產品的競爭力,也為推動整個行業的健康發展做出了重要貢獻。未來,隨著更多類似寬SOA 30V SGT MOSFET這樣高性能產品的推出,我們有理由相信,華羿微電將繼續引領行業發展潮流,為中國半導體產業的崛起貢獻力量。