英飛凌科技股份公司通過擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品線，推出了新型CoolSiC? JFET系列，旨在推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的進步。該系列產(chǎn)品以其極低的導通損耗、卓越的關斷能力和高可靠性，成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想選擇。CoolSiC? JFET不僅在短路和雪崩故障條件下表現(xiàn)出色，還具備精確的過壓控制能力，使其在工業(yè)及汽車應用中實現(xiàn)了高效且可靠的性能表現(xiàn)。

技術突破與應用領域

CoolSiC? JFET專為應對復雜的應用挑戰(zhàn)而設計，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。這些應用場景對器件的導通電阻（RDS(ON)）有嚴格要求，而第一代CoolSiC? JFET達到了業(yè)界領先的1.5mΩ（750V BDss）和2.3mΩ（1200V BDss），顯著減少了導通損耗。優(yōu)化后的溝道設計確保了JFET在極端條件下的高可靠性。

專家觀點與技術亮點

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer博士強調(diào)，“市場需要更加智能、快速且可靠的配電系統(tǒng)，英飛凌將通過CoolSiC? JFET滿足這一日益增長的需求。”他指出，這項以應用為導向的技術不僅重新定義了SiC性能標準，也鞏固了英飛凌在寬禁帶半導體領域的領導地位。

CoolSiC? JFET采用了Q-DPAK頂部散熱封裝，便于并聯(lián)操作，并提供可擴展的電流處理能力，特別適合緊湊型高功率系統(tǒng)的設計需求。此外，基于先進的.XT互連技術和擴散焊接工藝，CoolSiC? JFET有效降低了瞬態(tài)熱阻抗，在脈沖與循環(huán)負載下展現(xiàn)了更高的可靠性。

設計集成與未來展望

為了適應嚴苛環(huán)境中的散熱和機械挑戰(zhàn)，CoolSiC? JFET經(jīng)過實際工況測試驗證，并采用符合行業(yè)標準的Q-DPAK封裝，支持快速無縫的設計集成。這使得工程師能夠在設計階段更靈活地考慮散熱管理和機械結(jié)構(gòu)問題，從而提高最終產(chǎn)品的可靠性和耐用性。

新型CoolSiC? JFET系列的工程樣品預計于2025年推出，并計劃在2026年開始量產(chǎn)。屆時，還將推出更多封裝和模塊選項，進一步豐富產(chǎn)品線。感興趣的觀眾可以在紐倫堡PCIM Europe 2025展會期間參觀英飛凌展臺，了解CoolSiC? JFET系列的最新進展和技術細節(jié)。

總之，隨著CoolSiC? JFET系列的推出，英飛凌再次展示了其在寬禁帶半導體技術領域的創(chuàng)新能力。這款新產(chǎn)品不僅滿足了當前市場對高性能、可靠性的需求，也為未來的電力電子設備提供了堅實的技術基礎。無論是對于追求效率提升的工業(yè)用戶，還是尋求增強安全性的汽車制造商而言，CoolSiC? JFET無疑都是一項值得期待的技術革新。

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