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最近業界消息稱，一家國內半導體公司成功制造出了第一臺核心部件完全國產化的高端晶圓激光切割設備。晶圓切割是將硅晶圓切割成單個芯片的過程。由于晶圓上刻有非常精密的電路，切割過程需要極高精度的設備。為了更好地理解晶圓切割的過程，我們可以簡要了解一下芯片制造的流程。
在上游材料廠，從晶體硅錠開始加工，制備晶圓片，并通過拋光等步驟準備晶圓材料。代工廠在收到晶圓片后，需要經過濕洗等步驟進行光刻準備工作。首先，在晶圓上使用光刻機打印特定的電路圖案，然后通過離子注入改變導電特性，接著進行蝕刻和電鍍等加工步驟，最后清洗晶圓表面并進行電氣測試和性能分類。
完成上述所有工作后，就到了晶圓切割的階段，將晶圓分離成單個芯片，然后進行封裝，變成了電子元器件。
晶圓切割方法包括機械鋸切、激光切割、晶圓劃片和等離子切割等。這次國內制造的晶圓切割設備完全采用激光切割方式。
據悉，這臺設備是由華工科技激光半導體產品黃偉團隊制造的，并在半導體激光設備領域攻克了多個中國第一。
由于晶圓材料質地堅硬而脆弱，一張12英寸的晶圓片可以得到成千上萬個芯片。無論使用機械切割還是激光切割，由于材料接觸和高速運動，都會產生熱影響和崩邊，從而影響芯片的性能。
因此，控制熱影響和崩邊尺寸是晶圓切割設備需要突破的技術難題。
據介紹，這款國產化的晶圓激光切割設備采用了先進的激光技術和控制系統，能夠實現高精度的切割，切割線寬甚至可以做到10微米以內。相比傳統的機械鋸切方法，激光切割具有更高的精度和效率，能夠更好地保護芯片的質量和性能。
此外，該設備還具備自動化程度高、操作簡便、穩定性強等特點，可以提高生產效率和降低生產成本。
華工科技表示，他們正在不斷研發和改進晶圓激光切割設備，計劃在今年7月推出新產品。同時，他們還在開發國內自主知識產權的第三代半導體晶圓激光退火設備，以滿足不斷發展的半導體行業需求。
黃偉團隊負責人表示，激光技術的應用領域是無邊界的，還有很多未知的領域需要大膽探索。他們有信心讓中國的激光裝備在更多的細分領域達到國際領先水平。
這次國內制造的晶圓激光切割設備的成功研發和推出，不僅填補了國內在該領域的空白，也為中國半導體產業的發展提供了重要支持。隨著國內半導體產業的快速發展，國產化的高端設備將有助于提高產業自主創新能力，減少對進口設備的依賴，推動中國半導體產業的進一步壯大。
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