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隨著電子工程領域的不斷發展，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為電力電子的核心組件，其應用也日益多元化和復雜化。Nexperia，作為半導體行業的領導者，深刻理解不同應用場景下MOSFET需求的獨特性，推出了系列應用專用MOSFET，旨在通過優化關鍵參數，為特定領域提供最佳匹配的解決方案。
重復雪崩的汽車ASFET：堅固耐用的守護者
在汽車電子領域，尤其是當MOSFET用于驅動感性負載，如電磁閥時，重復雪崩能力成為關鍵考量因素。Nexperia的汽車級ASFET憑借其保證的重復雪崩性能，成功克服了這一挑戰，滿足了汽車標準AEC-Q101的要求。通過先進的硅技術和LFPAK封裝的結合，這種MOSFET能夠在承受高達十億次重復雪崩事件的同時，保持結溫低于175℃，展現出卓越的耐用性和系統級成本節約潛力。
電池隔離的ASFET：安全高效的能量守門員
面對多節鋰離子電池組帶來的安全風險，Nexperia的電池隔離ASFET應運而生，具備增強的SOA（安全工作區）、穩健性和最大電流承載能力。在故障條件下，這種MOSFET能夠安全地隔離電池，防止過熱和潛在的電路火災，同時在正常運行時保持低導通電阻，減少能耗。其穩健的設計使其成為電池保護IC的首選，確保設備在各種條件下的安全運行。
熱插拔和軟啟動的ASFET：平穩過渡的保障
在云計算、邊緣計算及其它始終在線的系統中，熱插拔和軟啟動功能對于保護系統免受電源沖擊至關重要。Nexperia為此設計的ASFET集成了強大的線性模式性能和增強的SOA，同時保持低導通電阻，確保了在熱插拔過程中的電流控制和平穩過渡。一旦完成軟啟動，MOSFET進入完全導通狀態，低Rds(on)值進一步提升了系統效率和熱性能。
Nexperia的MOSFET創新，不僅僅是技術上的突破，更是對行業需求深刻洞察的結果。通過定制化設計，Nexperia為汽車、電池管理和數據中心等領域提供了量身定做的MOSFET解決方案，不僅提升了系統性能，還確保了長期穩定性和安全性。隨著未來應用的不斷拓展，Nexperia將繼續引領MOSFET技術的發展，為工程師們提供更為豐富和專業的選擇。
Nexperia不斷豐富其增長中的PMIC產品組合，最新加入了0.5 - 5.5 V負載開關IC。在迅速發展的電子電路設計領域，選擇合適的電源開關是至關重要的決策之一，它不僅極大地影響著系統設計的性能和效率，還涉及到總體空間的優化。負載開關IC在電子系統中扮演著關鍵角色，是用于電源管理的非分...【詳情+】
近日，全球知名半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布計劃在漢堡工廠投資2億美元（約合1.84億歐元），用于研發下一代寬禁帶半導體產品，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），并建立生產基礎設施。同時，公司還將增加硅（Si）二極管和晶體管的產能。這一重大投資是為了慶祝該工廠成立100周年，并由漢堡經濟部...【詳情+】
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