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英飛凌靜態隨機存取存儲器(SRAM) 具有業界速度最快的 nvSRAM，具有無限耐久性，代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供英飛凌靜態隨機存取存儲器(SRAM) ：簡介、特征及系列。
英飛凌的 nvSRAM 產品采用 SONOS 非易失性單元，該單元基于標準 SRAM 單元構建。當正常供電時，該設備的外觀和行為與標準 SRAM 類似。但是，當電源斷電時，每個單元的內容可以自動存儲在位于 SRAM 單元上方的非易失性元件中。該非易失性元件采用標準 CMOS 工藝技術，可獲得標準 SRAM 的高性能。
SONOS 技術利用 Fowler-Nordheim 隧道 (FN 隧道) 通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數據。FN 隧道的一個關鍵優勢是它可以大大提高 NV 耐久性并大大降低磨損速度。SONOS 技術的另一個優勢是它易于集成到 CMOS 中（僅需兩個額外的掩模）。這使得 NV 單元可以位于每個存儲位中緊鄰 6T SRAM 單元的位置，從而使 SRAM 到 NV 之間的傳輸全部并行進行，并且功率水平非常低。與浮柵技術不同，SONOS 存儲設備可以實現更薄的柵極堆疊高度，從而實現更強的靜電控制，因此也更具可擴展性。
快速訪問-執行隨機訪問讀寫速度最快可達 20ns
無限耐久性 - 提供無限次寫入和讀取
節省空間 - 與 BBSRAM 相比，占用的電路板空間更小
耐輻射——不受輻射引起的軟錯誤的影響
英飛凌的 nvSRAM 將賽普拉斯業界領先的 SRAM 技術與SONOS 非易失性技術相結合。英飛凌提供全面的串行和并行 nvSRAM 非易失性存儲器產品組合。
英飛凌的并行 nvSRAM 是業界最快的并行非易失性 RAM 解決方案，最快訪問時間為 20ns。這些產品的密度范圍從 64kbit 到 16Mbit，支持 2.7V 至 5.5V 的寬電壓范圍。它們用于 RAID 存儲、工業自動化、計算和網絡等應用。我們的串行 nvSRAM 提供無限的讀/寫耐久性和高速讀寫。這些產品的密度范圍從 64kbit 到 1Mbit，支持 2.7V 至 5.5V 的寬電壓范圍。它們用于工業控制和自動化設備以及智能電表等應用。
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