Vishay 宣布推出采用 PowerPAK? SO-8S（QFN 6 x 5）封裝的全新 150 V TrenchFET? Gen V N 溝道功率 MOSFET，旨在提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用領(lǐng)域的效率和功率密度。與上一代采用 PowerPAK SO-8 封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP 的總導(dǎo)通電阻降低了 68.3%，導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 MOSFET 的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)（FOM））降低了 15.4%，RthJC 降低了 62.5%，而連續(xù)漏極電流增加了 179%。

產(chǎn)品特點(diǎn)

先進(jìn)的導(dǎo)通電阻：SiRS5700DP 具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（10 V 時(shí)為 5.6 mΩ）以及導(dǎo)通電阻和柵極電荷乘積 FOM（336 mΩ*nC），可最大限度降低傳導(dǎo)造成的功率損耗。

高效率和功率密度：設(shè)計(jì)人員能夠利用這些特性提高效率，滿足下一代電源的要求，例如 6 kW AI 服務(wù)器電源系統(tǒng)。

超低熱阻：PowerPAK SO-8S 封裝具有超低的 0.45 °C/W RthJC，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 144 A 的持續(xù)漏極電流，從而提高功率密度，同時(shí)提供強(qiáng)大的 SOA 能力。

應(yīng)用領(lǐng)域

SiRS5700DP 非常適合同步整流、DC/DC 轉(zhuǎn)換、熱插拔開關(guān)和 OR-ing 功能。典型應(yīng)用包括：

服務(wù)器、邊緣計(jì)算、超級(jí)計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

通信電源

太陽能逆變器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電動(dòng)工具

電池管理系統(tǒng)

符合標(biāo)準(zhǔn)

RoHS 標(biāo)準(zhǔn)：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素。

100% Rg 和 UIS 測試：經(jīng)過 100% Rg 和 UIS 測試，符合 IPC-9701 標(biāo)準(zhǔn)，確保更加可靠的溫度循環(huán)。

兼容性：器件的標(biāo)準(zhǔn)尺寸為 6 mm × 5 mm，完全兼容 PowerPAK SO-8 封裝。

總結(jié)

Vishay 推出的 SiRS5700DP MOSFET 不僅在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了顯著的性能提升，還為設(shè)計(jì)人員提供了更高的效率和功率密度，適用于廣泛的通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用。其先進(jìn)的導(dǎo)通電阻、低熱阻和高持續(xù)漏極電流使其成為下一代電源系統(tǒng)中的理想選擇。我司代理銷售Vishay旗下全系列IC電子元器件，如需采購、申請樣片測試、產(chǎn)品規(guī)格書等需求，請加客服微信：13310830171。