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英飛凌科技近日宣布推出全新的 CoolSiC? MOSFET 650V G2，其導通電阻僅為7mΩ，采用TO-247和TO-247-4 4引腳封裝。這款產品以第1代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效、緊湊和可靠解決方案。CoolSiC? MOSFET 第2代在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的系統設計，包括交流-直流、直流-直流和直流-交流電路及其組合。
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優異的性能指標（FOM）：在關鍵性能指標上顯著改進，提供卓越的性價比。
個位數RDS(on）：低導通電阻確保高效能。
堅固耐用，整體質量高：設計可靠，適用于嚴苛的工作環境。
靈活的驅動電壓范圍：支持單電源驅動，VGS（off）=0，避免誤開通。
.XT技術改進封裝互聯：提升散熱性能，確保長期穩定運行。
節省物料清單：減少系統組件，降低整體成本。
最大限度地提高單位成本的系統性能：在有限的成本內實現最佳性能。
最高可靠性：確保長時間穩定運行，減少維護需求。
實現最高效率和功率密度：優化能源利用，提高系統效率。
易于使用：與現有供應商完全兼容，簡化設計和集成過程。
允許無需風扇或無散熱器設計：降低系統復雜性和成本。
開關損耗極低：在高頻開關應用中表現優異，減少能量損失。
標桿性柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V：確保穩定的開關性能。
柵極關斷電壓為0V，可抵御寄生導通：提高系統的可靠性和安全性。
驅動電壓靈活，與正負電源驅動兼容：適應多種電源配置，增強設計靈活性。
用于硬換流的堅固體二極管：在硬開關應用中表現穩定，減少故障風險。
.XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能：確保高效的熱量管理，延長器件壽命。
開關電源（SMPS）：提供高效、可靠的電源轉換。
光伏逆變器：優化太陽能發電系統的性能。
儲能系統：提高能量存儲和釋放的效率。
不間斷電源（UPS）：確保電力供應的穩定性和可靠性。
電動汽車充電：加速電動汽車充電基礎設施的發展。
電機驅動：提升電機控制的精度和效率。
英飛凌推出的 CoolSiC? MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-4封裝，不僅在性能上實現了顯著提升，還在可靠性和成本優化方面表現出色。這些特性使其成為多種應用領域的理想選擇，特別是在需要高效能和高可靠性的系統設計中。英飛凌通過不斷創新，繼續引領功率半導體技術的發展。
英飛凌科技近期推出了全新的CoolSiC? MOSFET 400V G2系列產品，該產品將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻相結合，顯著提升了系統成本效益。400V SiC MOSFET特別適用于2電平和3電平硬開關及軟開關拓撲，能夠提供卓越的功率密度和系統效率。主要應用領域包括人工智能服務器電源供應...【詳情+】
2024年11月5日，英飛凌科技的CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊（包括EasyPACK? 3B封裝和62mm封裝）憑借其市場領先的產品設計和卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（High Performance Pas...【詳情+】
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