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2024年12月12日，在深圳舉行的行家說三代半年會上，眾多行業內上下游主流企業及精英齊聚一堂，共同探討行業發展趨勢，深化交流合作。安世半導體憑借其領先的“針對工業和可再生能源應用的CCPAK封裝GaN FET”產品，榮獲了「GaN年度優秀產品獎」，這一榮譽彰顯了其作為全球基礎半導體領導者的實力，并展示了其在第三代半導體領域的深厚積累。
在同期舉辦的SiC & GaN技術應用創新峰會上，成皓分享了《安世半導體GaN FET如何助力新能源行業創新》專題報告。他提到，隨著全球對可再生能源需求的增長，氮化鎵（GaN）技術以其高效能和高頻率特性，逐漸成為提升新能源設備性能的關鍵驅動力。安世半導體不僅能夠提供級聯型（Cascode）和增強型（e-mode）兩種類型的氮化鎵器件，還具備較低的反向恢復電荷、卓越的溫度穩定性等優勢，為新能源應用提供了降本增效的解決方案。
具體而言，安世半導體推出的GAN039-650NTB是一款具有33 mΩ典型值的氮化鎵場效應管，采用創新的CCPAK1212i頂部散熱封裝技術。這種封裝方式結合寬禁帶半導體與銅夾片封裝，開創了新時代的技術先河，特別適用于太陽能系統、家用熱泵等可再生能源應用領域。此外，它也廣泛應用于伺服驅動器、開關模式電源(SMPS)、服務器以及電信等行業。
GAN039-650NTB采用了級聯配置，實現了優異的開關和導通性能。其堅固可靠的柵極結構提高了噪聲容限，簡化了設計流程，使得這些器件可以由標準硅MOSFET驅動器輕松驅動，無需復雜控制電路。Nexperia的GaN技術不僅增強了開關穩定性，還將裸片尺寸縮小約24%。該器件在25℃時的RDS(on)僅為33 mΩ（典型值），同時擁有較高的門極閾值電壓和較低的體二極管導通壓降，進一步提升了整體性能。
通過不斷推動技術創新，安世半導體致力于為可持續發展應用開發前沿器件技術，為工業和可再生能源市場注入新的活力。我司代理銷售安世半導體旗下全系列IC電子元器件，如需采購、申請樣片測試、產品規格書等需求，請加客服微信：13310830171。
物聯網(IoT)技術的不斷進步逐漸減小了相關器件的外形尺寸和功耗，使得許多新的電池供電應用成為可能。例如，遠程布置的“智能農業”土壤濕度傳感器可以提供無線數據，幫助農民提高產量，使其農場更加環保。在龐大的倉儲設施中，無線傳感器定期發送溫度測量值，幫助倉庫操作員確保環境溫度...【詳情+】
在年度全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）的頒獎典禮上，安世半導體憑借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半導體領域的卓越表現，榮獲“年度功率半導體產品獎”。這一獎項不僅是對安世半導體在功率半導體市場領導地位的認可，更是對其產品競爭力和技術創新能力的高...【詳情+】
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