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英飛凌科技高級技術總監、工業與基礎設施業務大中華區技術負責人陳立烽深入解析了英飛凌CoolSiC?碳化硅技術的發展路徑及其最新一代CoolSiC? MOSFET G2產品的獨特優勢。他強調，評價一項技術或產品時，除了關注基本的靜態和動態特性外，還需綜合考量其可靠性、穩定性和易用性。
英飛凌科技高級技術總監、
工業與基礎設施業務大中華區技術負責人 陳立烽
全面評估碳化硅器件性能
在衡量碳化硅器件性能時，陳立烽指出，需要全面考慮多個關鍵指標，如柵極氧化層的可靠性、體二極管的魯棒性、驅動電壓延展性以及抗短路能力。溝槽柵技術作為提升碳化硅器件性能和可靠性的核心技術之一，英飛凌CoolSiC? MOSFET采用了非對稱溝槽柵結構，通過垂直溝道設計降低導通電阻和開關損耗，并增強柵極氧化層的可靠性。
從設計到封裝的全方位推進
英飛凌不僅在器件結構設計上下功夫，還利用.XT封裝技術和冷切割工藝來全面提升產品性能。.XT封裝技術有效降低了瞬態熱阻，提高了芯片性能和壽命；而冷切割技術則提升了晶圓生產效率，確保供應安全。這些努力使得新一代CoolSiC? MOSFET G2產品在保持高質量和高可靠性的同時，將主要性能指標優化了20%，快速開關能力提高了30%以上。
CoolSiC? MOSFET G2的應用優勢
CoolSiC? MOSFET G2的最大工作結溫提升至200攝氏度，為客戶提供了更大的設計靈活性。這使得采用該器件的電動汽車直流快速充電站能夠減少10%的功率損耗，同時在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率。基于CoolSiC? MOSFET G2的牽引逆變器可以增加電動汽車的續航里程；而在可再生能源領域，太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低成本。
綜上所述，英飛凌通過持續的技術創新和全方位的產品優化，正引領著碳化硅技術的發展方向，為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等領域的客戶帶來顯著的競爭優勢。
英飛凌科技高級副總裁、工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝表示，自進入中國市場近三十年來，英飛凌一直致力于為發電、輸配電、儲能及用電等電力全價值鏈提供高能效的產品和解決方案。這些產品廣泛應用于風電、光伏、高鐵等領域，對推動社會的綠色低碳轉型起到了重要作用。英...【詳情+】
在低碳化轉型的進程中，轉向可再生能源成為核心議題，而提升能源轉換效率則是其中的關鍵挑戰。碳化硅（SiC）作為一種功率半導體技術，正致力于解決這一難題，在能效和設計創新方面取得了顯著進展。英飛凌科技的獨特優勢英飛凌科技副總裁、工業與基礎設施業務大中華區市場負責人沈璐指出，公...【詳情+】
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