全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商 ROHM 推出了具有突破性的 30V耐壓共源N溝道MOSFET 新品——AW2K21。這款產(chǎn)品以其僅 2.0mm×2.0mm 的微小封裝尺寸和行業(yè)領(lǐng)先的 2.0mΩ（典型值） 低導(dǎo)通電阻，為快速充電設(shè)備帶來了革命性的解決方案。代理銷售ROHM旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹AW2K21產(chǎn)品優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域。如需AW2K21產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

創(chuàng)新技術(shù)助力高效能

AW2K21 基于ROHM獨家研發(fā)的結(jié)構(gòu)設(shè)計，不僅提高了器件集成度，還顯著降低了單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。通過在單個組件內(nèi)集成雙MOSFET的設(shè)計，使得只需一枚 AW2K21 即可滿足雙向供電電路所需的雙向保護需求，大大簡化了電路設(shè)計并節(jié)省了空間。

特別地，ROHM采用了WLCSP（晶圓級芯片規(guī)模封裝）技術(shù)，將傳統(tǒng)垂直溝槽MOS結(jié)構(gòu)中的漏極引腳移到了器件表面，從而增加了內(nèi)部芯片的比例，進一步減少了單位面積上的導(dǎo)通電阻。這不僅減少了功率損耗，還支持更大的電流流動，使 AW2K21 成為了實現(xiàn)大功率快速充電的理想選擇。

性能對比與優(yōu)勢展示

以小型設(shè)備的雙向供電電路為例，使用普通產(chǎn)品通常需要兩枚 3.3mm×3.3mm 的元件，而采用 AW2K21 則只需要一枚 2.0mm×2.0mm 的元件即可完成同樣的任務(wù)。這意味著安裝面積可以減少約 81%，同時導(dǎo)通電阻也能降低約 33%。即使與同等尺寸的GaN HEMT相比，AW2K21 的導(dǎo)通電阻也降低了大約 50%，充分展示了其卓越的性能。

應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

AW2K21 不僅適用于智能手機等需要快速充電功能的小型設(shè)備，在其他多個領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用潛力，包括：

VR眼鏡

小型打印機

平板電腦

可穿戴設(shè)備

液晶顯示器

筆記本電腦

掌上游戲機

無人機

特別是在負載開關(guān)應(yīng)用中，作為單向保護MOSFET使用時，AW2K21 同樣實現(xiàn)了業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻，展現(xiàn)了其多功能性。

展望未來

ROHM正致力于開發(fā)更小巧的 1.2mm×1.2mm 版本，繼續(xù)推動電子產(chǎn)品的微型化和節(jié)能化進程。隨著對環(huán)保和能源效率要求的不斷提高，ROHM的目標是通過提供更加緊湊且高效的解決方案，幫助實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會目標。

總之，AW2K21 是一款集成了創(chuàng)新技術(shù)和高性能指標的產(chǎn)品，它不僅解決了當前市場上對于高效率、小體積MOSFET的需求，同時也預(yù)示著未來電子產(chǎn)品朝著更加智能化、高效化的方向發(fā)展。對于追求極致性能和空間利用率的企業(yè)來說，AW2K21 提供了一個不可多得的選擇。