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作為全球碳化硅（SiC）功率器件的領先廠商，英飛凌科技（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出全新的SiC溝槽型超結（Trench Super Junction，TSJ）技術。該技術融合了英飛凌在SiC溝槽柵結構和硅基電荷補償器件（CoolMOS?）領域多年積累的技術優勢，標志著其在寬禁帶半導體領域的又一次重大突破。
此次推出的首批產品為采用IDPAK封裝的1200V SiC TSJ功率器件，專為汽車牽引逆變器應用設計。該系列產品基于英飛凌超過25年的功率半導體研發經驗打造，在保持優異短路耐受能力的同時，將導通電阻與芯片面積乘積（Ron*A）降低了高達40%，從而顯著提升功率密度，實現更緊湊、高效的系統設計。
英飛凌零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer表示：“TSJ技術的引入進一步拓展了我們的CoolSiC?產品組合。溝槽柵與超結結構的結合，不僅提升了效率表現，也為高可靠性應用場景提供了更強的技術支撐。”
該器件支持最高800kW功率輸出，并具備出色的電流承載能力——相比現有解決方案提升約25%。此外，得益于更低的導通損耗和開關損耗，新器件可有效降低整車或工業系統的能耗與散熱需求，同時減少并聯使用的需求，從而簡化系統設計流程、降低整體成本。
在汽車應用中，這項技術有望助力主機廠開發出更高能效、更具成本優勢的電動動力總成系統。現代汽車公司已率先成為TSJ技術的早期客戶之一，計劃將其應用于新一代電動汽車平臺，以提升整車續航能力和系統集成度。
除汽車領域外，英飛凌還同步推出了適用于工業市場的多種封裝形式，包括分立器件、模塑模塊、框架封裝模塊以及裸晶圓等，全面覆蓋從新能源汽車充電、光伏儲能到軌道交通牽引系統等多樣化場景。
目前，部分汽車客戶已獲得IDPAK封裝1200V SiC TSJ器件樣品，預計將在2027年實現大規模量產。隨著全球對高效能、低能耗電力電子系統需求的增長，英飛凌憑借其領先的SiC TSJ技術，正加速推動電動汽車與工業設備向更高效率、更可持續的方向發展。
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