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瑞薩電子高級低功耗靜態隨機存取存儲器，通過采用獨家技術優化了存儲單元結構，使其軟錯誤抵抗力比傳統全CMOS存儲單元高出500倍以上。瑞薩電子代理商-中芯巨能為您提供瑞薩電子靜態隨機存取存儲器選型表及現貨。如需產品規格書、選型指導、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
| 型號 | 描述 | 溫度范圍 |
|---|---|---|
| R1LP0108E | 1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| R1LP0408D | 4Mb Advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit) | -40 to +85°C |
| R1LP5256E | 256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| R1LV0108E | 1Mb Advanced LPSRAM (128k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| R1LV0208BSA | 2Mb Advanced LPSRAM (256k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| R1LV0216BSB | 2Mb Advanced LPSRAM (128k word x 16bit) | -40 to +85°C |
| R1LV5256E | 256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0408E | 4Mb Advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0414E | 4Mb Advanced LPSRAM (256-kword × 16-bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0416E | 4Mb Advanced LPSRAM (256-kword × 16-bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0808BGSB | 8Mb Advanced LPSRAM (1024k word × 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0816BGBG | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0816BGSA | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0816BGSB | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit) | -40 to +85°C |
| RMLV0816BGSD | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV1616A | 16Mb Advanced LPSRAM (1M word × 16bit / 2M word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV1616A-U | 16Mbit LPSRAM (1M word × 16bit / 2M word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMLV3216A | 32Mb Advanced LPSRAM (2M word × 16bit / 4M word x 8bit) | -40 to +85°C |
| RMWV3216A | 32Mb Advanced LPSRAM (2M word × 16bit) | -40 to +85°C |
| RMWV6416A | 64Mb Advanced LPSRAM (4M word × 16bit / 8M word x 8bit) | -40 to +85°C |
瑞薩電子提供從低分辨率到高分辨率的廣泛數字電位計（DCP）選擇，涵蓋單、雙和四倍配置。這些數字電位計不僅精確、易于調整，還顯著降低了制造復雜性，為各種應用提供了可靠的微調和控制手段。瑞薩電代理商-中芯巨能為您介紹瑞薩電子數字電位計產品特點及應用領域。如需產品規格書、選...【詳情+】
瑞薩電子異步靜態隨機存取存儲器（SRAM）提供高速數據讀寫，無需刷新電路，功耗低，穩定性強，適用于各種嵌入式系統和工業應用。產品系列廣泛，滿足不同容量和性能需求。瑞薩電子代理商-中芯巨能為您提供瑞薩電子異步靜態隨機存取存儲器選型表及現貨。如需產品規格書、選型指導、樣片測試、...【詳情+】
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