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英飛凌科技近日宣布推出其第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V TO-247-4HC分立器件系列，這標志著電力電子領域的一大進步。該系列產品在原有第一代技術的基礎上進行了優化和升級，旨在提供更高的效率、更緊湊的設計以及無與倫比的可靠性。
新一代產品采用TO-247-4HC高爬電距離封裝，提供了從12mΩ到78mΩ不等的電阻選擇范圍，適用于包括交流-直流、直流-直流和直流-交流在內的各種功率變換應用。具體型號涵蓋了IMZC120R012M2H至IMZC120R078M2H等多個選項，為不同需求的用戶提供了廣泛的選擇空間。
產品型號：
IMZC120R012M2H
IMZC120R017M2H
IMZC120R022M2H
IMZC120R026M2H
IMZC120R034M2H
IMZC120R040M2H
IMZC120R053M2H
IMZC120R078M2H
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英飛凌CoolSiC? MOSFET G2 1200V系列產品的設計考慮到了多種應用場景的需求，特別是對于那些需要高性能和可靠性的領域。比如，在電動汽車充電站中，這些設備可以顯著提高充電效率；在工業電機驅動和控制方面，它們能夠實現更好的散熱管理；而在不間斷電源(UPS)和三相組串逆變器的應用中，它們則展現了卓越的穩健性和耐用性。
此外，這些新產品還具有多個突出的特點：開關損耗極低，最大VGS范圍更大（-10V至+25V），過載運行溫度最高可達Tvj=200°C，并且擁有市場上同類最佳的最低RDS(on)值。同時，每款產品都保證了至少2μs的最大短路耐受時間，進一步增強了系統的安全性。
從應用價值上看，CoolSiC? MOSFET G2不僅提高了能源效率，還優化了散熱性能，實現了更高的功率密度。這種新型的穩健性使得并聯操作變得更加簡單，大大提升了系統整體的可靠性。
在市場上，CoolSiC? MOSFET G2憑借其性能增強、XT互連技術和獨特的堅固性，確立了自己的競爭優勢。無論是對于追求高性能還是高可靠性的客戶來說，這一系列產品都是理想的選擇。
總之，隨著英飛凌CoolSiC? MOSFET G2 1200V系列的推出，我們看到了電力電子技術的新一輪革新。它不僅滿足了當前市場對高效能組件的需求，也為未來的創新和發展奠定了堅實的基礎。
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